特許
J-GLOBAL ID：200903080361088173
半導体レーザモジュール及び半導体レーザモジュールに用いられるペルチェモジュール
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
五十嵐 清
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-011587
公開番号（公開出願番号）：特開2000-294868
出願日： 2000年01月20日
公開日（公表日）： 2000年10月20日
要約：
【要約】【課題】 高出力、高環境温度下で使用可能な半導体レーザモジュールを提供する。【解決手段】 半導体レーザ素子13が固定された基板16がパッケージ11に固定されたペルチェモジュール12の冷却側基板に固定される際に、半導体レーザ素子13はペルチェモジュール12の略中央部に配置されて固定される。このペルチェモジュール12は、周辺部が中央部よりも吸熱量が大きくなっている。
請求項（抜粋）：
半導体レーザ素子と、前記半導体レーザ素子を載置した基板と、前記半導体レーザ素子から出射される光を受光する光ファイバと、前記半導体レーザ素子と前記光ファイバの間に介設され前記半導体レーザ素子から出射されるレーザ光を前記光ファイバに光学的に結合する光結合手段と、前記半導体レーザ素子を載置した前記基板を冷却するペルチェモジュールと、前記半導体レーザ素子、前記基板、前記ペルチェモジュールを収容するパッケージを有する半導体レーザモジュールであって、前記半導体レーザ素子は前記ペルチェモジュールの略中央部上方に配置されるとともに、前記ペルチェモジュールの吸熱量は略中央部において小さく、周辺部で大きくなるように形成されていることを特徴とする半導体レーザモジュール。
引用特許：
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