シリコン単結晶基板上にアナターゼ型の二酸化チタン単結晶膜を作製する方法

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：社本一夫 (外5名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-247611
公開番号（公開出願番号）：特開2002-060300
出願日： 2000年08月17日
公開日（公表日）： 2002年02月26日
要約：

【要約】【課題】シリコンを基板として用いることにより大きな面積のアナターゼ型二酸化チタン単結晶膜を得、窒素酸化物等の有害ガスの分解、除去の反応面積の拡大化が図れる。【解決手段】結晶面方位が(100)面のシリコン単結晶基板上に(100)面の窒化チタン(TiN)を積層し、次に(100)面のチタン酸ストロンチウム(SrTiO3)を積層することにより、シリコンとアナターゼ型二酸化チタンとの格子不整合を減少させるもので、これによりアナターゼ型二酸化チタンの単結晶成長を可能にする。

請求項（抜粋）：

シリコン単結晶基板上にアナターゼ型結晶構造の二酸化チタン単結晶膜を形成させるために、レーザアブレーション成膜法により結晶面方位が(100)面のシリコン単結晶基板上に(100)面の窒化チタン(TiN)膜、次に(100)面のチタン酸ストロンチウム(SrTiO3)膜の順番で積層し、(100)面のチタン酸ストロンチウム膜上に(001)面のアナターゼ型の二酸化チタン(TiO2)単結晶膜を作製する方法。

IPC (7件)：

C30B 29/16 , B01D 53/86 ZAB , B01D 53/94 , B01J 21/06 , B01J 35/02 , B01J 37/02 301 , C23C 14/08

FI (7件)：

C30B 29/16 , B01J 21/06 M , B01J 35/02 J , B01J 37/02 301 M , C23C 14/08 E , B01D 53/36 ZAB J , B01D 53/36 102 C

Fターム (37件)：

4D048AA06 , 4D048AB03 , 4D048BA07X , 4D048BA41X , 4D048BB03 , 4D048EA01 , 4G069AA03 , 4G069AA08 , 4G069BA04A , 4G069BA04B , 4G069BA48A , 4G069CA10 , 4G069CA13 , 4G069DA06 , 4G069EA08 , 4G069EC22X , 4G069FA01 , 4G069FA03 , 4G069FB03 , 4G077AA03 , 4G077AB02 , 4G077BB04 , 4G077DA03 , 4G077ED06 , 4G077EF02 , 4G077HA20 , 4K029AA06 , 4K029AA24 , 4K029BA48 , 4K029BA50 , 4K029BA60 , 4K029BB02 , 4K029BB07 , 4K029BC00 , 4K029BC07 , 4K029CA01 , 4K029DB20

引用特許：

審査官引用 (1件)

強誘電体薄膜素子およびその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-275428 出願人：株式会社村田製作所

引用文献：

審査官引用 (3件)

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