半導体装置および半導体装置の製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：恩田博宣
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-080463
公開番号（公開出願番号）：特開平8-279553
出願日： 1995年04月05日
公開日（公表日）： 1996年10月22日
要約：

【要約】【目的】素子分離領域を小さくした上で、ソース・ドレイン領域とソース・ドレイン電極とのコンタクト抵抗の増大、ソース・ドレイン領域の電気抵抗の増大、ソース・ドレイン領域の接合容量の増大を回避し、デバイス表面の平坦化を図る。【構成】素子分離をトレンチ2と絶縁膜3aとを併用して行う。トレンチ2の幅は基板1上で一定とする。絶縁膜3a側壁をそのままコンタクトホール10として使用する。コンタクトホール10を介して基板1にイオン注入を行い、n- 領域9を形成する。コンタクトホール10内に形成したポリシリコン膜で高濃度のn+ 領域12を形成する。基板1内の低濃度のn- 領域9とn+ 領域12とでソース・ドレイン領域13を形成する。コンタクトホール10内のポリシリコン膜だけを残すように当該ポリシリコン膜をエッチバックしてn+ 領域12を形成する。

請求項（抜粋）：

基板上に形成されたトレンチと、基板表面に形成された絶縁膜とで素子分離領域が形成された半導体装置。

IPC (2件)：

H01L 21/76 , H01L 29/78

FI (2件)：

H01L 21/76 L , H01L 29/78 301 R

引用特許：

審査官引用 (6件)

特開平3-016152
特開昭52-060581
MIS型半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平3-265258 出願人：ソニー株式会社

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