特許

J-GLOBAL ID：200903080451116249

コンタクト形成方法および半導体装置

発明者： 廣瀬 裕 ,  井上 薫 ,  池田 義人
出願人/特許権者： 松下電器産業株式会社
代理人 (2件)： 板垣 孝夫 ,  森本 義弘
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-170133
公開番号（公開出願番号）：特開2004-111910
出願日： 2003年06月16日
公開日（公表日）： 2004年04月08日
要約：

【課題】III 族窒化物半導体の電極の低抵抗化を図る。【解決手段】基板1上のIII 族窒化物半導体層としてのAlGaN層3のオーミック・コンタクト形成領域11の表面に選択的にSi薄膜9とTi薄膜10とを積層し、この基板1を高温で熱処理する。それにより、AlGaN層3のオーミック・コンタクト形成領域11内で、Siが拡散されて濃度〜1020cm-3レベルとなり、Tiと反応してオーミック特性を得るために十分に高い電子濃度となる。コンタクト形成領域11内で、SiとTiとの反応によるTiSi2部分12、TiとAlGaNとの反応によるTiN部分13、および窒素空孔14、窒素を失ったGaとAlのIII 族金属部分が発生して、TiSi2を主体とする低抵抗の電極膜が形成される。【選択図】 図2

請求項（抜粋）：

III 族窒化物半導体層の表面にSiとTiとを含む膜を形成した後に熱処理を施すことを特徴とするコンタクト形成方法。

IPC (7件)：

H01L21/28 ,  H01L21/338 ,  H01L29/778 ,  H01L29/812 ,  H01L33/00 ,  H01S5/042 ,  H01S5/323

FI (7件)：

H01L21/28 301S ,  H01L21/28 301B ,  H01L33/00 C ,  H01L33/00 E ,  H01S5/042 612 ,  H01S5/323 610 ,  H01L29/80 H

Fターム (35件)：

4M104AA03 ,  4M104AA07 ,  4M104BB25 ,  4M104BB30 ,  4M104CC01 ,  4M104DD35 ,  4M104DD78 ,  4M104DD84 ,  4M104GG04 ,  4M104GG12 ,  4M104HH15 ,  5F041AA24 ,  5F041CA40 ,  5F041CA82 ,  5F041CA92 ,  5F073AA61 ,  5F073CA07 ,  5F073CB22 ,  5F073DA30 ,  5F073EA29 ,  5F102FA03 ,  5F102GB01 ,  5F102GC01 ,  5F102GD01 ,  5F102GJ10 ,  5F102GL04 ,  5F102GM04 ,  5F102GM07 ,  5F102GM08 ,  5F102GQ01 ,  5F102GR15 ,  5F102HC01 ,  5F102HC11 ,  5F102HC21 ,  5F102HC24

引用特許：

審査官引用 (2件)

• n型窒化物半導体の電極
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-224913   出願人：日亜化学工業株式会社
• III-V族窒化物系化合物半導体への電極形成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-089394   出願人：古河電気工業株式会社