特許

J-GLOBAL ID：200903045395122605

III-V族窒化物系化合物半導体への電極形成方法

発明者： 吉田 清輝
出願人/特許権者： 古河電気工業株式会社
代理人 (1件)： 長門 侃二
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-089394
公開番号（公開出願番号）：特開2000-286213
出願日： 1999年03月30日
公開日（公表日）： 2000年10月13日
要約：

【要約】【課題】 バンドギャップエネルギーが大きいIII-V族窒化物系化合物半導体の上に接触抵抗が低い電極の形成方法を提供する。【解決手段】 III-V族窒化物系化合物半導体の上に接触抵抗が低い電極を形成する方法であって、III-V族窒化物系化合物半導体1の上に、一旦、そのバンドギャップエネルギーを小さくすることができる材料から成る介在層2を形成したのち、その介在層2の上に電極材料の層を形成し、ついで全体に熱処理を行い、介在層としては、含In化合物半導体層、含In合金層、Si層、Ge層、異種類のIII-V族窒化物系化合物半導体を交互に積層した多層構造のいずれかが用いられる。

請求項（抜粋）：

III-V族窒化物系化合物半導体の上に接触抵抗が低い電極を形成する方法であって、III-V族窒化物系化合物半導体の上に、一旦、そのバンドギャップエネルギーを小さくすることができる材料から成る介在層を形成したのち、前記介在層の上に電極材料の層を形成し、ついで全体に熱処理を行うことを特徴とするIII-V族窒化物系化合物半導体への電極形成方法。

IPC (3件)：

H01L 21/28 301 ,  H01L 21/338 ,  H01L 29/812

FI (2件)：

H01L 21/28 301 H ,  H01L 29/80 F

Fターム (15件)：

4M104AA04 ,  4M104BB03 ,  4M104BB14 ,  4M104CC01 ,  4M104DD28 ,  4M104DD79 ,  4M104DD84 ,  4M104FF13 ,  4M104FF31 ,  4M104GG04 ,  4M104GG05 ,  4M104HH15 ,  5F102FA03 ,  5F102GR15 ,  5F102HC21

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-346950   出願人：松下電子工業株式会社
• 電極構造の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-164379   出願人：シャープ株式会社
• オーミック電極およびその形成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-192818   出願人：ソニー株式会社