特許
J-GLOBAL ID：200903080461843262

半導体装置及びその製造方法

発明者：
平尾 秀司

平尾 秀司 について


出願人/特許権者：
松下電子工業株式会社

松下電子工業株式会社 について


代理人 (1件)： 岩橋 文雄 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-210460
公開番号（公開出願番号）：特開2001-035921
出願日： 1999年07月26日
公開日（公表日）： 2001年02月09日
要約：
【要約】【課題】 銅配線上の微細な開口部に金属電極を埋め込む際、開口部の側壁の銅汚染及び金属電極内に生じる空洞の発生を防止した金属電極を備えた半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】 半導体基板1上に形成した銅配線3上に窒化シリコン膜5及び層間絶縁膜6を堆積する。この層間絶縁膜6に開口部8を設けてコンタクト孔を形成する際、開口部底部の窒化シリコン膜5を残置させる。ここで、物理的エッチング等により開口部8の入り口を広げた後、残置した窒化シリコン膜5を除去し、開口部8に導電部材を埋め込む。これにより、下層が銅配線であっても、開口部側壁に銅が付着することなく開口部上部の角落としが可能となるため、銅原子の拡散を防止しかつ空洞のない金属電極の形成が可能となる。
請求項（抜粋）：
基板上に銅若しくは銅を主成分とする配線を形成する工程と、前記配線を覆う絶縁膜を形成する工程と、前記配線上の前記絶縁膜に開口部を形成する工程とを備え、前記開口部を形成する工程は、少なくとも前記絶縁膜の一部が前記開口部底部に残置するように形成する工程と、前記開口部の上端部に傾斜部を形成し前記開口部の上部領域の開口面積を広げる工程と、前記開口部底部に残置した前記絶縁膜を除去する工程と、前記開口部に導電部材を充填する工程とを備えた半導体装置の製造方法。
IPC (3件)：
H01L 21/768 ,  H01L 21/28 301 ,  H01L 21/3205
FI (3件)：
H01L 21/90 A ,  H01L 21/28 301 R ,  H01L 21/88 M
Fターム (80件)：
4M104AA01 ,  4M104BB13 ,  4M104BB14 ,  4M104BB17 ,  4M104BB18 ,  4M104BB29 ,  4M104BB30 ,  4M104BB32 ,  4M104BB33 ,  4M104BB34 ,  4M104CC01 ,  4M104DD12 ,  4M104DD16 ,  4M104DD17 ,  4M104DD22 ,  4M104DD43 ,  4M104DD52 ,  4M104DD75 ,  4M104DD78 ,  4M104FF17 ,  4M104FF18 ,  4M104FF22 ,  4M104HH13 ,  4M104HH20 ,  5F033HH11 ,  5F033HH17 ,  5F033HH18 ,  5F033HH19 ,  5F033HH21 ,  5F033HH32 ,  5F033HH33 ,  5F033HH34 ,  5F033HH36 ,  5F033JJ11 ,  5F033JJ17 ,  5F033JJ18 ,  5F033JJ19 ,  5F033JJ21 ,  5F033JJ32 ,  5F033JJ33 ,  5F033JJ34 ,  5F033JJ36 ,  5F033KK11 ,  5F033KK19 ,  5F033KK21 ,  5F033KK27 ,  5F033KK32 ,  5F033KK33 ,  5F033KK34 ,  5F033MM01 ,  5F033MM02 ,  5F033MM05 ,  5F033MM08 ,  5F033MM12 ,  5F033MM13 ,  5F033NN06 ,  5F033NN07 ,  5F033NN32 ,  5F033PP06 ,  5F033PP15 ,  5F033PP27 ,  5F033QQ08 ,  5F033QQ09 ,  5F033QQ13 ,  5F033QQ14 ,  5F033QQ27 ,  5F033QQ28 ,  5F033QQ30 ,  5F033QQ37 ,  5F033QQ48 ,  5F033QQ73 ,  5F033QQ92 ,  5F033QQ98 ,  5F033RR04 ,  5F033RR06 ,  5F033TT02 ,  5F033WW01 ,  5F033XX02 ,  5F033XX15 ,  5F033XX28
引用特許：
審査官引用 (4件)
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