半導体装置

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：鈴木喜三郎 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-235611
公開番号（公開出願番号）：特開平10-079653
出願日： 1996年09月05日
公開日（公表日）： 1998年03月24日
要約：

【要約】【課題】構造上大きな占有面積を必要とする高耐圧トランジスタを多用することなく、少なくとも3種類以上の入出力に関る電圧範囲を有する半導体装置及び前記半導体装置を用いた表示装置を実現することを目的とする。【解決手段】定電圧回路と、電圧変換手段と演算回路と出力制御手段を備える。P+とN+のサイドウオールによる容量を、SUB-SUBと配線下に配置する。くり返し回路とくり返し回路の間に定電圧発生回路を配置する。信号を保持する機能を備え、内部電圧を外部から与える機能を備える。入力信号用のコンパレータと信号切換器を備える。電流電圧発生回路を電流制御回路と電流演算回路と電圧発生回路に機能分離し配置する。信号入出力パッドとパッドの間に入力保護回路、電圧比較器、電圧変換器を配置する。パッドを保護ダイオードと保護ダイオードの間に配置する。

請求項（抜粋）：

第1の電圧範囲の電圧が供給される電源端子と、該第1の電圧範囲内の電圧範囲である第2の電圧範囲を有する外部信号を入力する外部信号入力端子と、前記第1の電圧範囲の電圧を入力して第3の電圧範囲の電圧を出力する定電圧回路と、前記第2の電圧範囲を有する信号を前記第3の電圧範囲の信号に変換する第1の電圧変換手段とを具備してなることを特徴とする半導体装置。

IPC (7件)：

H03K 17/10 , G02F 1/133 520 , G09G 3/20 , G09G 3/36 , H01L 27/04 , H01L 21/822 , H03K 19/0175

FI (6件)：

H03K 17/10 , G02F 1/133 520 , G09G 3/20 J , G09G 3/36 , H01L 27/04 B , H03K 19/00 101 A

引用特許：

出願人引用 (4件)

半導体集積回路
公報種別：公開公報出願番号：特願平3-279525 出願人：日本電気株式会社
出力回路
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-032088 出願人：富士通株式会社, 富士通ヴィエルエスアイ株式会社
レベルシフト回路
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-260109 出願人：三菱電機株式会社

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審査官引用 (4件)

半導体集積回路
公報種別：公開公報出願番号：特願平3-279525 出願人：日本電気株式会社
出力回路
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-032088 出願人：富士通株式会社, 富士通ヴィエルエスアイ株式会社
レベルシフト回路
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-260109 出願人：三菱電機株式会社

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