特許
J-GLOBAL ID：200903080541334253

シリカ系被膜形成用塗布液、シリカ系被膜及びそれを用いた半導体装置

発明者：
森嶋 浩之

森嶋 浩之 について

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野部 茂

野部 茂 について

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榎本 和宏

榎本 和宏 について


出願人/特許権者：
日立化成工業株式会社

日立化成工業株式会社 について


代理人 (1件)： 若林 邦彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-167348
公開番号（公開出願番号）：特開平11-012542
出願日： 1997年06月24日
公開日（公表日）： 1999年01月19日
要約：
【要約】【課題】 厚膜成膜性が良好でかつクラックの発生のないシリカ系被膜を製造することができるシリカ系被膜形成用塗布液、シリカ系被膜及びこのシリカ系被膜を層間絶縁膜として有する半導体装置を提供する。【解決手段】 (A)一般式(I)【化1】(ただし、式中、Rは炭素数1〜4のアルキル基を示し、3個のRは同一でも異なっていてもよい)で表されるトリアルコキシシラン及び(B)一般式(II)【化2】(ただし、式中、Rは炭素数1〜4のアルキル基を示し、6個のRは同一でも異なっていてもよい)で表されるヘキサアルコキシジシランを溶媒中に水及び触媒の存在下に加水分解及び縮重合した得られるシロキサンオリゴマーを含むシリカ系被膜形成用塗布液、この塗布液を、基体表面上に塗布後、50〜200°Cで乾燥し、ついで300〜500°Cで焼成してなるシリカ系被膜並びにこのシリカ系被膜を層間絶縁膜とした半導体装置。
請求項（抜粋）：
(A)一般式(I)【化1】(ただし、式中、Rは炭素数1〜4のアルキル基を示し、3個のRは同一でも異なっていてもよい)で表されるトリアルコキシシラン及び(B)一般式(II)【化2】(ただし、式中、Rは炭素数1〜4のアルキル基を示し、6個のRは同一でも異なっていてもよい)で表されるヘキサアルコキシジシランを溶媒中に水及び触媒の存在下に加水分解及び縮重合した得られるシロキサンオリゴマーを含むシリカ系被膜形成用塗布液。
IPC (5件)：
C09D183/05 ,  C01B 33/12 ,  C09K 3/10 ,  H01B 3/00 ,  H01B 3/12 336
FI (5件)：
C09D183/05 ,  C01B 33/12 C ,  C09K 3/10 G ,  H01B 3/00 ,  H01B 3/12 336
引用特許：
審査官引用 (4件)
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