特許
J-GLOBAL ID：200903080543556482
半導体発光素子およびその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
岩橋 文雄 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-299639
公開番号（公開出願番号）：特開2001-119068
出願日： 1999年10月21日
公開日（公表日）： 2001年04月27日
要約：
【要約】【課題】 紫外線発光素子において、活性層のバンドギャップで決まる波長より長波長側での発光がある。【解決手段】 活性層とp-AlGaNクラッド層の間に、クラッド層とバンドギャップが同じかより大きいアンドープのAlGaN層を10nm以上の厚みで挿入する。
請求項（抜粋）：
基板上に形成された、第一の伝導型の第一の半導体層、および、前記第一の半導体層よりバンドギャップの小さい第二の半導体層、および、前記第二の半導体層よりバンドギャップの大きい第二の伝導型の第三の半導体層よりなる半導体発光素子において、第三の半導体層と前記第二の半導体層の間に、第三の半導体層とバンドギャップが等しいかより大きいアンドープの第四の半導体層を有することを特徴とする半導体発光素子。
IPC (3件)：
H01L 33/00
, H01S 5/323
, H01S 5/343
H01L 33/00 C
, H01S 5/323
, H01S 5/343
5F041AA11
, 5F041CA04
, 5F041CA05
, 5F041CA34
, 5F041CA40
, 5F041CA46
, 5F041CA58
, 5F073AA55
, 5F073AA74
, 5F073CA07
, 5F073CB05
, 5F073CB07
, 5F073CB10
, 5F073DA05
, 5F073EA05
, 5F073EA24
, 5F073EA29
