特許
J-GLOBAL ID：200903080550053763
プラズマリアクタ内のイオン密度、イオンエネルギー分布及びイオン解離の独立した制御
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
安齋 嘉章
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-281701
公開番号（公開出願番号）：特開2007-157696
出願日： 2006年10月16日
公開日（公表日）： 2007年06月21日
要約：
【課題】プラズマリアクタ内のイオン密度、イオンエネルギー分布及びイオン解離の独立した制御方法を提供する。【解決手段】3つの各周波数の少なくとも3つのRF電源からのRF電力をリアクタ内のプラズマに結合し、少なくとも3つのRF電源の第1対の電源レベル間の比を設定することによりイオンエネルギー分布形状を設定し、少なくとも3つのRF電源の第2対の電源レベル間の比を選択することによりイオン解離及びイオン密度を設定する。3つの各周波数は、低周波周波数、高周波周波数及び超高周波周波数であって、第1対は低周波及び高周波周波数に相当し、第2対は高周波及び超高周波周波数に相当する。【選択図】図16
請求項（抜粋）：
プラズマリアクタ内でワークピースを処理する方法であって、
3つの各周波数の少なくとも3つのRF電源からのRF電力を前記リアクタ内のプラズマに結合し、
前記少なくとも3つのRF電源の第1対の電力レベル間の比を選択することによりイオンエネルギー分布形状を設定し、
前記少なくとも3つのRF電源の第2対の電力レベル間の比を選択することによりイオン解離及びイオン密度を設定することを含む方法。
IPC (1件)：
FI (1件)：
Fターム (23件)：
5F004AA16
, 5F004BA09
, 5F004BA20
, 5F004BB07
, 5F004BB18
, 5F004BB22
, 5F004BB23
, 5F004BB25
, 5F004BD04
, 5F004CA03
, 5F004CA06
, 5F045AA08
, 5F045AA09
, 5F045DP03
, 5F045DQ10
, 5F045EF05
, 5F045EH02
, 5F045EH05
, 5F045EH11
, 5F045EH13
, 5F045EH19
, 5F045EH20
, 5F045EJ10
