電子装置及びその製造方法

発明者： , , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：滝本智之 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-183765
公開番号（公開出願番号）：特開平11-168104
出願日： 1998年06月30日
公開日（公表日）： 1999年06月22日
要約：

【要約】【課題】貫通孔電子装置を製造するのに、従来よりも歩留まり率を向上させ、かつ工程を簡略化する。【解決手段】まず、ソース電極3およびドレイン電極4を形成し、チタンおよびアルミニウムを順次蒸着してゲート電極5を形成し、FETを形成する。次に、基板1の表面にエッチング保護膜としてのフォトレジスト12を塗布した後、通常のフォトリソグラフィにより形成された開口部12aを用いて基板1をエッチングし、穴7を形成する。その後、穴7に導電層10を堆積して充填させ、金属層11を形成する。しかる後、基板1を裏面側から少なくとも穴7に到達する厚さまで研磨して、基板1の裏面側に導電層10を露出させる。最後に基板1の裏面全面に裏面金属膜9を堆積し、電子装置を作製する。

請求項（抜粋）：

基板に穴を形成する工程と、前記穴に導電層を充填する工程および前記穴を形成した側とは反対側より少なくとも前記穴に到達する厚さに前記基板を研磨する工程とを備えたことを特徴とする電子装置の製造方法。

IPC (4件)：

H01L 21/3205 , H01L 29/41 , H01L 21/338 , H01L 29/812

FI (3件)：

H01L 21/88 J , H01L 29/44 Z , H01L 29/80 U

引用特許：

審査官引用 (20件)

特開昭64-082534
半導体装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-084510 出願人：株式会社ミリウェイブ
特開平1-149461

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