特許
J-GLOBAL ID：200903080557775594

半導体装置及びその製造方法

発明者：
清水 暁

清水 暁 について

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新井 範久

新井 範久 について

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竹内 祐司

竹内 祐司 について


出願人/特許権者：
株式会社東芝

株式会社東芝 について

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東芝マイクロエレクトロニクス株式会社

東芝マイクロエレクトロニクス株式会社 について


代理人 (1件)： 三好 秀和 (外7名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-101541
公開番号（公開出願番号）：特開2002-299475
出願日： 2001年03月30日
公開日（公表日）： 2002年10月11日
要約：
【要約】【課題】 トランジスタの微細化及び高速動作が可能で、且つ高耐圧な半導体装置を提供する。【解決手段】 半導体基板上部に所定の間隔をおいて配置された第1導電型のソース/ドレイン領域と、ソース/ドレイン領域の間に配置された第2導電型のチャネル領域と、チャネル領域の上にゲート絶縁膜を介して配置されたゲート電極と、ソース領域及びドレイン領域にそれぞれ接続された、第1導電型不純物が添加された多結晶シリコンからなるコンタクトプラグと、ソース/ドレイン領域内のコンタクトプラグが接続される部分にそれぞれ配置された第1導電型の高濃度領域とを少なくとも有する。チャネル領域の第2導電型不純物濃度が、ソース領域及びドレイン領域内のコンタクトプラグが接続される部分の第2導電型不純物濃度よりも高い。
請求項（抜粋）：
半導体基板の上部に所定の間隔をおいて配置された第1導電型のソース領域及びドレイン領域と、前記ソース領域と前記ドレイン領域の間に配置された第2導電型のチャネル領域と、前記チャネル領域の上にゲート絶縁膜を介して配置されたゲート電極と、前記ソース領域及び前記ドレイン領域にそれぞれ接続された、第1導電型不純物が添加された多結晶シリコンからなるコンタクトプラグと、前記ソース領域及び前記ドレイン領域内の当該コンタクトプラグが接続される部分にそれぞれ配置された第1導電型の高濃度領域とを有し、前記チャネル領域の第2導電型不純物濃度が、前記ソース領域及び前記ドレイン領域内の前記コンタクトプラグが接続される部分の第2導電型不純物濃度よりも高いことを特徴とする半導体装置。
IPC (10件)：
H01L 21/8247 ,  H01L 27/115 ,  H01L 21/8234 ,  H01L 27/088 ,  H01L 27/10 461 ,  H01L 27/10 481 ,  H01L 29/78 ,  H01L 21/336 ,  H01L 29/788 ,  H01L 29/792
FI (9件)：
H01L 27/10 461 ,  H01L 27/10 481 ,  H01L 27/10 434 ,  H01L 27/08 102 B ,  H01L 27/08 102 C ,  H01L 27/08 102 D ,  H01L 29/78 301 H ,  H01L 29/78 301 L ,  H01L 29/78 371
Fターム (65件)：
5F048AB01 ,  5F048AC01 ,  5F048BA01 ,  5F048BB06 ,  5F048BB12 ,  5F048BB16 ,  5F048BD04 ,  5F048BE03 ,  5F048BF06 ,  5F048BF16 ,  5F048BG01 ,  5F048BG13 ,  5F083EP23 ,  5F083EP48 ,  5F083EP76 ,  5F083JA35 ,  5F083JA39 ,  5F083LA12 ,  5F083LA16 ,  5F083LA28 ,  5F083LA29 ,  5F083MA06 ,  5F083MA19 ,  5F083NA01 ,  5F083NA08 ,  5F083PR36 ,  5F083ZA07 ,  5F101BA07 ,  5F101BA29 ,  5F101BB05 ,  5F101BD14 ,  5F101BD34 ,  5F101BD36 ,  5F140AA01 ,  5F140AA25 ,  5F140AB03 ,  5F140AC32 ,  5F140BA01 ,  5F140BB13 ,  5F140BC02 ,  5F140BC06 ,  5F140BC17 ,  5F140BE07 ,  5F140BF04 ,  5F140BF32 ,  5F140BG08 ,  5F140BG12 ,  5F140BG28 ,  5F140BG38 ,  5F140BG53 ,  5F140BH15 ,  5F140BH17 ,  5F140BH19 ,  5F140BH49 ,  5F140BJ01 ,  5F140BJ04 ,  5F140BJ27 ,  5F140BK02 ,  5F140BK13 ,  5F140BK16 ,  5F140BK21 ,  5F140BK25 ,  5F140BK30 ,  5F140CB04 ,  5F140CE07
引用特許：
審査官引用 (2件)

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