特許
J-GLOBAL ID：200903067873648220

バイポーラトランジスタおよびその製造方法

発明者：
小田 克矢

小田 克矢 について

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大植 栄司

大植 栄司 について

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尾内 享裕

尾内 享裕 について

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鷲尾 勝由

鷲尾 勝由 について


出願人/特許権者：
株式会社日立製作所

株式会社日立製作所 について


代理人 (1件)： 高橋 明夫 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-182417
公開番号（公開出願番号）：特開平10-079394
出願日： 1997年07月08日
公開日（公表日）： 1998年03月24日
要約：
【要約】【課題】 ベース抵抗が小さく、エミッタ・ベース間容量及びコレクタ・ベース間容量が小さい高速動作が可能な自己整合バイポーラトランジスタを得る。【解決手段】 単結晶Si-Geの真性ベース9と低濃度コレクタ層3の間に、単結晶Si-Geの低濃度コレクタ領域8を自己整合的に形成し、ベース引き出し電極6と真性ベースとをドーピングされた外部ベース10のみで接続する。【効果】 コレクタ・ベース界面にエネルギー障壁ができないために、エミッタから注入されたキャリアの走行時間が短縮される。真性ベースとベース引き出し電極がドーピングされた外部ベースによって接続されるので、ベース抵抗が低減する。しかも、エミッタ・ベース・コレクタを自己整合的に形成するため、エミッタ・ベース及びコレクタ・ベース間容量も低減する。従って、高速なバイポーラトランジスタを実現でき、これを用いた回路の高速動作が可能となる。
請求項（抜粋）：
第1導電型単結晶シリコン層と、該第1導電型単結晶シリコン層表面上に設けられた開口部を有する第1の絶縁膜と前記第1導電型と反対導電型の第2導電型多結晶層と第2の絶縁膜とからなる多層膜と、前記開口部に設けられた第1導電型単結晶シリコン・ゲルマニウム層と、該第1導電型単結晶シリコン・ゲルマニウム層上に設けられた第2導電型単結晶シリコン・ゲルマニウム層と、該第2導電型単結晶シリコン・ゲルマニウム層と前記第2導電型多結晶層との双方に接して設けられた第2導電型多結晶シリコン・ゲルマニウム層と、を少なくとも有することを特徴とするバイポーラトランジスタ。
IPC (5件)：
H01L 21/331 ,  H01L 29/73 ,  H01L 29/165 ,  H01L 31/10 ,  H03F 3/08
FI (4件)：
H01L 29/72 ,  H03F 3/08 ,  H01L 29/165 ,  H01L 31/10 A
引用特許：
審査官引用 (10件)
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