特許

J-GLOBAL ID：200903080585890633

エッチング速度の均一性を改良する技術

発明者： ダウハーティ・ジョン・イー. ,  ベンジャミン・ネイル ,  ボガート・ジェフ ,  ヴァヘジ・ヴァヒド ,  クーパーバーグ・デイビッド ,  ミラー・アラン ,  ヤマグチ・ヨーコ
出願人/特許権者： ラム リサーチ コーポレーション
代理人 (1件)： 特許業務法人 明成国際特許事務所
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-506576
公開番号（公開出願番号）：特表2003-503841
出願日： 2000年06月29日
公開日（公表日）： 2003年01月28日
要約：

【要約】プラズマ処理システムにおけるイオン支援エッチング処理に関する改良された方法及び装置を開示する。本発明の様々な態様にしたがって、高位置エッジリング、溝付きエッジリング、及び高周波結合エッジリングが開示される。本発明は基板(ウェーハ)全体でのエッチング速度均一性を改良する働きをする。本発明により提供されるエッチング速度均一性の改良は、製造歩留まりを向上させるだけでなく、費用効率にも優れており、微粒子及び又は重金属汚染の危険を発生させない。

請求項（抜粋）：

上面と底面とエッジとを有する基板をエッチングするためのプラズマ処理チャンバであって、 前記基板の前記底面の少なくとも一部を支持し、高周波(RF)電力を供給されるチャックと、 前記高周波電力を供給されるチャックの一部の上方であって、前記基板のエッジに隣接する位置に設けられた内側高周波結合エッジリングと、を備え、前記高周波電力を供給されるチャックにより供給された高周波エネルギの一部が、前記内側高周波結合エッジリングに結合される、プラズマ処理チャンバ。

IPC (2件)：

H01L 21/3065 ,  H05H 1/46

FI (2件)：

H05H 1/46 A ,  H01L 21/302 C

Fターム (5件)：

5F004AA01 ,  5F004BA04 ,  5F004BB22 ,  5F004BB23 ,  5F004BB29

引用特許：

審査官引用 (3件)

• プラズマチャンバの半導体ワークピースを取り囲むシールド又はリング
  公報種別：公表公報   出願番号：特願2000-512233   出願人：アプライドマテリアルズインコーポレイテッド
• マグネトロンプラズマ処理装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-207410   出願人：東京エレクトロン株式会社
• 非均一な磁界を有する磁気励起プラズマチャンバ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-360401   出願人：アプライドマテリアルズインコーポレイテッド