特許
J-GLOBAL ID：200903080592928590
有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法
発明者：
,
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
小池 隆彌
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-298083
公開番号（公開出願番号）：特開平11-135257
出願日： 1997年10月30日
公開日（公表日）： 1999年05月21日
要約：
【要約】【課題】 従来、フォトリソグラフィで電極を形成する方法では、有機EL素子を構成する有機材料の特性を落としていた。また、マスクを用いて電極を堆積する方法は、パターンの微細化が困難であった。【解決手段】 本発明の製造方法では、前記第一電極層あるいは第二電極層のうち少なくとも一方の電極層の形成工程が、開口部を有するマスクの開口部を介して電極構成材料を堆積させる工程と、前記マスクの位置を前記基板と相対的に移動して前記開口部を介してさらに電極構成材料を堆積させる工程あるいは前記マスクとは異なるパターンの開口部を有するマスクの開口部を介してさらに電極構成材料を堆積させる工程と、を有することによって、上記問題を解決した。
請求項（抜粋）：
基板上に、第一電極層、有機発光材料を含有するエレクトロルミネッセンス層、第二電極層を積層する有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法において、前記第一電極層あるいは前記第二電極層のうち少なくとも一方の電極層を形成する工程が、開口部を有するマスクの開口部を介して電極構成材料を堆積させる工程と、前記マスクの位置を前記基板と相対的に移動して前記開口部を介してさらに電極構成材料を堆積させる工程と、を有することを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法。
IPC (3件)：
H05B 33/10
, H05B 33/14
, H05B 33/26
H05B 33/10
, H05B 33/14 A
, H05B 33/26
