半導体基板の製造方法

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：酒井昭徳
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-288208
公開番号（公開出願番号）：特開2005-057142
出願日： 2003年08月06日
公開日（公表日）： 2005年03月03日
要約：

【課題】半導体基板にトレンチを形成し、その中に半導体をエピタキシャル成長させて並列pn接合構造を形成した後、平坦化処理によって基板表面を研磨する際の削り厚さの管理が容易であり、研磨後に面内膜厚均一性が高く、かつ汚染の少ない基板表面を得ること。【解決手段】n型シリコン半導体基板11の表面にトレンチ形成パターンを有する酸化膜14を形成し、この酸化膜14をマスクとして半導体基板11に超接合用トレンチ16を形成し、エピタキシャル成長をおこなって超接合用トレンチ16をp型半導体17で埋める。その後、酸化膜14を研磨ストッパ膜として利用して、基板表面に生成したポリシリコン18を研磨し、その研磨面を酸化膜14の表面と面一にする。そして、酸化膜14を除去した後、再び基板表面を短時間、研磨して平坦化する。【選択図】図7

請求項（抜粋）：

n型半導体領域とp型半導体領域とが交互に繰り返し接合された構成の並列pn接合構造を有する半導体基板を製造するにあたって、第1導電型の半導体基板の表面にトレンチ形成パターンを有する絶縁膜を形成する工程と、前記絶縁膜をマスクとして前記半導体基板にトレンチを形成する工程と、第2導電型の半導体をエピタキシャル成長させて前記トレンチを埋める工程と、エピタキシャル成長による基板表面の生成物を研磨して当該研磨面を前記絶縁膜の表面と面一にする第1の研磨工程と、前記絶縁膜を除去する工程と、基板表面を研磨して、絶縁膜除去により生じた凹凸を平坦化する第2の研磨工程と、を含むことを特徴とする半導体基板の製造方法。

IPC (8件)：

H01L29/06 , H01L21/205 , H01L21/304 , H01L21/329 , H01L21/331 , H01L21/336 , H01L29/73 , H01L29/78

FI (8件)：

H01L29/06 301D , H01L21/205 , H01L21/304 622S , H01L21/304 622X , H01L29/78 652H , H01L29/78 658A , H01L29/91 B , H01L29/72

Fターム (17件)：

5F003BA27 , 5F003BJ12 , 5F003BJ15 , 5F003BJ96 , 5F003BP12 , 5F003BP33 , 5F003BP94 , 5F003BZ01 , 5F003BZ02 , 5F045AA03 , 5F045AB02 , 5F045AC13 , 5F045AF03 , 5F045BB01 , 5F045CA01 , 5F045CA06 , 5F045HA13

引用特許：

出願人引用 (7件)

欧州特許出願公開第0053854号明細書
米国特許第5216275号明細書
米国特許第5438215号明細書

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