特許

J-GLOBAL ID：200903080619969129

半導体装置

発明者： 時藤 俊一
出願人/特許権者： 沖電気工業株式会社
代理人 (1件)： 藤村 元彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-176204
公開番号（公開出願番号）：特開2009-016542
出願日： 2007年07月04日
公開日（公表日）： 2009年01月22日
要約：

【課題】応力耐性のより高いシールリング構造を有する半導体装置を提供する。【解決手段】複数の半導体素子を含む半導体層と、半導体層の上に設けられた絶縁膜と、絶縁膜を貫通し且つ半導体素子の全体を囲む筒状体と、を含む半導体装置であり、筒状体は、その周方向において各々が互いに離間し且つ平行な複数の筒状プラグと、筒状プラグの各々と交差する複数の壁部と、を有する。【選択図】図2

請求項（抜粋）：

複数の半導体素子を含む半導体層と、 前記半導体層の上に設けられた絶縁膜と、 前記絶縁膜を貫通し且つ前記半導体素子の全体を囲む筒状体と、を含む半導体装置であって、 前記筒状体は、その周方向において各々が互いに離間し且つ平行な複数の筒状プラグと、前記筒状プラグの各々と交差する複数の壁部と、を有することを特徴とする半導体装置。

IPC (4件)：

H01L 21/320 ,  H01L 23/52 ,  H01L 21/822 ,  H01L 27/04

FI (2件)：

H01L21/88 S ,  H01L27/04 D

Fターム (70件)：

5F033HH11 ,  5F033HH18 ,  5F033HH19 ,  5F033HH21 ,  5F033HH27 ,  5F033HH28 ,  5F033HH32 ,  5F033HH33 ,  5F033HH34 ,  5F033JJ11 ,  5F033JJ18 ,  5F033JJ19 ,  5F033JJ21 ,  5F033JJ27 ,  5F033JJ28 ,  5F033JJ32 ,  5F033JJ33 ,  5F033JJ34 ,  5F033KK01 ,  5F033KK11 ,  5F033KK18 ,  5F033KK19 ,  5F033KK21 ,  5F033KK27 ,  5F033KK28 ,  5F033KK32 ,  5F033KK33 ,  5F033KK34 ,  5F033MM02 ,  5F033MM12 ,  5F033MM13 ,  5F033MM17 ,  5F033MM22 ,  5F033NN06 ,  5F033NN07 ,  5F033NN33 ,  5F033PP04 ,  5F033PP06 ,  5F033PP15 ,  5F033PP27 ,  5F033QQ09 ,  5F033QQ16 ,  5F033QQ37 ,  5F033QQ48 ,  5F033QQ73 ,  5F033QQ74 ,  5F033QQ75 ,  5F033RR01 ,  5F033RR04 ,  5F033RR06 ,  5F033RR08 ,  5F033RR09 ,  5F033RR15 ,  5F033RR22 ,  5F033RR24 ,  5F033RR25 ,  5F033TT04 ,  5F033VV03 ,  5F033WW09 ,  5F033XX01 ,  5F033XX18 ,  5F033XX19 ,  5F038BH09 ,  5F038CA05 ,  5F038CD12 ,  5F038CD13 ,  5F038CD18 ,  5F038EZ11 ,  5F038EZ15 ,  5F038EZ20

引用特許：

出願人引用 (2件)

• 半導体装置およびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2004-275767   出願人：松下電器産業株式会社
• 電子デバイスおよびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2004-277087   出願人：松下電器産業株式会社

審査官引用 (1件)

• 半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2005-176826   出願人：松下電器産業株式会社