特許
J-GLOBAL ID：200903080635820186
発光素子用エピタキシャルウェハ及びその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
絹谷 信雄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-266246
公開番号（公開出願番号）：特開2000-101133
出願日： 1998年09月21日
公開日（公表日）： 2000年04月07日
要約：
【要約】【課題】 高い発光効率の発光素子用エピタキシャルウェハ及びその製造方法を提供する。【解決手段】 p-第二クラッド層(p-AlGaAs電流拡散層)7b及びp-GaAsコンタクト層8に炭素ドープすることにより、高濃度化が図れ、pn接合全体の結晶品質の低下を伴なうことなく、発光面側の電極から注入された電流を効率よく拡散し、発光効率が向上する。
請求項（抜粋）：
n型の半導体基板上にn型のバッファ層、n型の下クラッド層、アンドープの活性層、p型の第一上クラッド層、p型の第二上クラッド層及びp型のコンタクト層が順次エピタキシーされた発光素子用エピタキシャルウェハにおいて、上記第二上クラッド層が炭素ドープされていることを特徴とする発光素子用エピタキシャルウェハ。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L 33/00 A
, H01L 21/205
5F041AA03
, 5F041CA12
, 5F041CA34
, 5F041CA53
, 5F041CA57
, 5F041CA65
, 5F045AA04
, 5F045AB10
, 5F045AB17
, 5F045AB18
, 5F045AC19
, 5F045AD11
, 5F045AF04
, 5F045BB12
, 5F045CA10
, 5F045DA53
, 5F045DA59
