特許
J-GLOBAL ID：200903000822337347
半導体発光素子
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
佐藤 一雄 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-113666
公開番号（公開出願番号）：特開平11-307810
出願日： 1998年04月23日
公開日（公表日）： 1999年11月05日
要約：
【要約】【課題】 lnGaAlP系半導体発光素子において、動作電圧を低下させ、かつ従来より高出力化を実現した半導体発光素子を提供することを目的とする。【解決手段】 所定量の炭素をドーピングしたコンタクト層を設けることにより、ITO電極との接触抵抗を低下させることができる。炭素は亜鉛のように拡散して素子特性を劣化させることもない。さらに、コンタクト層とクラッド層との中間的なバンドギャップを有する中間バンドギャップ層を介在させることにより価電子帯のバンド不連続を緩和して正孔の流入を促進させ、素子抵抗を低下させることができる。
請求項（抜粋）：
InGaAlP系半導体からなる発光層と、炭素がドープされたp型コンタクト層と、前記p型コンタクト層に接触して設けられた透明電極層と、を備えたことを特徴とする半導体発光素子。
FI (2件)：
H01L 33/00 B
, H01L 33/00 E
