特許

J-GLOBAL ID：200903080679743502

非晶質シリコン太陽電池

発明者： 竹内 良昭 ,  村田 正義 ,  高野 暁己 ,  西宮 立亨 ,  森田 章二 ,  青井 辰史 ,  堀岡 竜治
出願人/特許権者： 三菱重工業株式会社
代理人 (1件)： 鈴江 武彦 (外4名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-235509
公開番号（公開出願番号）：特開2000-277773
出願日： 1999年08月23日
公開日（公表日）： 2000年10月06日
要約：

【要約】【課題】生産性を低下することなく初期効率を高めるとともに、高い安定化効率が得られることを課題とする。【解決手段】透明基板11と、この透明基板11上に形成された透明電極12と、この透明電極12上に形成された発電膜13と、この発電膜13上に形成された裏面電極14とを具備し、前記発電膜13がp型/i型/n型(又はn型/i型/p型)の水素化非晶質シリコン層を順次積層したものから構成され、かつi型の水素化非晶質シリコン層13bの欠陥密度が1015個/cc未満であることを特徴とする非晶質シリコン太陽電池。

請求項（抜粋）：

透明基板と、この透明基板上に形成された透明電極と、この透明電極上に形成された発電膜と、この発電膜上に形成された裏面電極とを具備し、前記発電膜がp型/i型/n型の水素化非晶質シリコン層を順次積層したものから構成され、かつi型の水素化非晶質シリコン層の欠陥密度が1015個/cc未満であることを特徴とする非晶質シリコン太陽電池。

Fターム (8件)：

5F051AA05 ,  5F051CA02 ,  5F051CA03 ,  5F051CA04 ,  5F051CA15 ,  5F051CA35 ,  5F051CA36 ,  5F051CA40

引用特許：

審査官引用 (2件)

• アモルフアスシリコン系光電素子の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-113635   出願人：鐘淵化学工業株式会社, 浜川圭弘
• 非晶質半導体薄膜の成膜方法及び装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-122244   出願人：三菱重工業株式会社