多孔質膜形成用組成物、多孔質膜の製造方法、多孔質膜、層間絶縁膜、及び半導体装置

発明者： , , ,
出願人/特許権者： ,
代理人 (3件)：小島隆司 , 重松沙織 , 小林克成
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-087048
公開番号（公開出願番号）：特開2004-292639
出願日： 2003年03月27日
公開日（公表日）： 2004年10月21日
要約：

【解決手段】(A)数平均分子量が100以上の硬化性シリコーン樹脂100重量部、(B)数平均分子量が10,000以下、350°C以下で熱分解する熱分解性物質又は沸点が常圧で150°C以上、250°C/10mmHg以下の有機化合物10〜200重量部、(C)熱分解により酸を発生する化合物 0.01〜10重量部を必須成分としてなることを特徴とする多孔質膜形成用組成物。【効果】本発明の組成物は、保存安定性に優れ、これを用いることによって、多孔質で低誘電率でありながら、平坦で均一であり、しかも機械的な強度も大きく、半導体装置製造に用いるとき層間絶縁膜として最適な膜を形成することが可能になる。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

(A)数平均分子量が100以上の硬化性シリコーン樹脂100重量部、 (B)数平均分子量が10,000以下であって、350°C以下で熱分解する熱分解性物質又は沸点が常圧で150°C以上250°C/10mmHg以下の有機化合物10〜200重量部、 (C)熱分解により酸を発生する化合物 0.01〜10重量部を必須成分としてなることを特徴とする多孔質膜形成用組成物。

IPC (5件)：

C09D183/04 , C01B33/12 , C08K5/00 , C08L83/04 , H01L21/312

FI (5件)：

C09D183/04 , C01B33/12 C , C08K5/00 , C08L83/04 , H01L21/312 C

Fターム (55件)：

4G072AA25 , 4G072BB09 , 4G072BB15 , 4G072HH28 , 4G072JJ47 , 4G072JJ50 , 4G072KK15 , 4G072MM01 , 4G072NN21 , 4G072RR03 , 4G072RR12 , 4G072UU01 , 4J002CF00X , 4J002CG00X , 4J002CH02X , 4J002CH05X , 4J002CP03W , 4J002CP03X , 4J002CP05W , 4J002CP08W , 4J002CP13W , 4J002EA027 , 4J002EA067 , 4J002EC067 , 4J002ED037 , 4J002EE027 , 4J002EN027 , 4J002EV216 , 4J002FD156 , 4J002FD206 , 4J002GH00 , 4J002GQ01 , 4J002GQ05 , 4J002HA05 , 4J038CE051 , 4J038CE052 , 4J038DD001 , 4J038DD002 , 4J038DE001 , 4J038DE002 , 4J038DL001 , 4J038DL002 , 4J038DL031 , 4J038DL032 , 4J038JB16 , 4J038KA06 , 4J038NA21 , 4J038PB09 , 5F058AA10 , 5F058AC03 , 5F058AC04 , 5F058AD05 , 5F058AF04 , 5F058AG01 , 5F058AH02

引用特許：

審査官引用 (3件)

膜形成用組成物、膜の形成方法および低密度化膜
公報種別：公開公報出願番号：特願平11-177698 出願人：ジェイエスアール株式会社
コーティング用組成物
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-296953 出願人：東レ株式会社
反射防止膜材料およびパターン形成方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2000-300650 出願人：信越化学工業株式会社

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