特許
J-GLOBAL ID：200903080757639040
SiCを使用したショットキー・ダイオードとその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
浅村 皓 (外3名)
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-533350
公開番号（公開出願番号）：特表2001-508946
出願日： 1998年01月19日
公開日（公表日）： 2001年07月03日
要約：
【要約】SiCのショットキー・ダイオードは、基板層、ドリフト層(2)およびドリフト層に形成されたエミッタ層領域(3)をもっている。金属層(4)は、エミッタ層領域にオーミックコンタクトをつくり、ドリフト層にショットキー接触をつくっている。このダイオードのブロッキング状態のとき、2つの隣接エミッタ層領域の間のドリフト層領域の空乏状態は、前記2つの隣接p形エミッタ層領域がそれらの間に連続して空乏化された領域(9)を形成することを可能にする。
請求項（抜粋）：
SiCで接合障壁ショットキー・ダイオード(JBS)をつくる方法であって、1)相互の上に次のSiCの半導体層、すなわち、nまたはpの第1形に従って高濃度にドープされている基板層(1)と、前記第1形に従って低濃度でドープされているドリフト層(2)とをエピタキシャル成長させるステップと、2)前記基板層から垂直に離れたところで前記ドリフト層に高濃度にドープされたエミッタ層領域(3)を形成するため、横方向に間隔を置いて配置された領域のドリフト層に、前記第1と反対のnまたはpの第2ドーピング形の不純物元素を導入するステップと、3)金属層にショットキー接触(5)をつくるために前記ドリフト層の上と、金属層にオーミックコンタクト(7)をつくるために少なくとも1つの前記エミッタ層領域の上とに、金属層を加えるステップと、 一緒に接続されてダイオードの陽極を形成する前記オーミックコンタクトおよびショットキー接触と、前記ドリフト層および前記エミッタ層の領域のドーピング濃度と、2つの隣接エミッタ層領域の間のショットキー接触の位置と比較した前記エミッタ層領域の深さと、ブロッキング状態におけるドリフト層の空乏状態をつくるように選択されているこれらの間の横方向間隔とは、エミッタ層の間の連続した空乏領域を形成して、ショットキー接合における高電界を隔離し、これによってショットキー接合が高電界にさらされないステップと、を含む方法。
引用特許：
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