特許
J-GLOBAL ID：200903080759870955

プラズマ処理装置

発明者：
大石 孝信

大石 孝信 について

, 
延永 尚志

延永 尚志 について


出願人/特許権者：
三井造船株式会社

三井造船株式会社 について


代理人 (2件)： 渡辺 望稔 ,  三和 晴子
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-078097
公開番号（公開出願番号）：特開2005-264226
出願日： 2004年03月18日
公開日（公表日）： 2005年09月29日
要約：
【課題】ガラス基板等の熱伝導率がシリコン基板に比べて低い基板について、プラズマ処理中の基板の温度分布を正確に測定するとともに、さらにこの測定結果を基にして基板を目標温度に均一に保持することによって、プラズマ処理を均一に行うプラズマ処理装置を提供する。 【解決手段】プラズマ処理装置10は、プラズマ処理する基板を載置する載置台16と、載置台16の載置面に対して載置面から自在に突出して載置台16の側から基板17を支持して昇降する複数の支持ピン40を備える基板昇降装置22と、を有する。支持ピン40は筒状部材であって、この筒状部材の空隙に基板温度を検知する温度検知手段を備え、載置台16に設けられた配置孔44に支持ピン40が格納されたプロセス処理中に、基板17のプラズマ処理面と反対側から載置台に載置された基板17の温度分布を計測する。この計測結果を用いて温度分布が均一になるように制御される。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
熱伝導率が50(W/m/K)以下の基板にプラズマ処理を施すプラズマ処理装置であって、 供給されたガスを用いてプラズマを生成するプラズマ生成手段と、 プラズマ処理を施すための電極を備え、プラズマ処理する基板を載置する載置台と、 前記載置台の載置面から自在に突出して前記載置台の側から基板を支持して昇降する複数の基板支持ピンを備える基板昇降手段と、を有し、 前記基板支持ピンのそれぞれは、内部に空隙を有する筒状部材であって、この筒状部材の空隙に基板温度を検知する温度検知手段を備え、前記載置台に設けられた配置孔に前記基板支持ピンが格納されたプロセス処理中に、基板のプラズマ処理面と反対側から前記温度検知手段を用いて前記載置台に載置された基板の温度分布を計測することを特徴とするプラズマ処理装置。
IPC (4件)：
C23C16/52 ,  H01L21/205 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/68
FI (4件)：
C23C16/52 ,  H01L21/205 ,  H01L21/68 N ,  H01L21/302 101G
Fターム (31件)：
4K030HA13 ,  4K030HA14 ,  4K030JA07 ,  4K030JA10 ,  4K030KA41 ,  5F004AA01 ,  5F004BA09 ,  5F004BB24 ,  5F004BB25 ,  5F004BB26 ,  5F004CB12 ,  5F031CA02 ,  5F031HA33 ,  5F031HA37 ,  5F031HA38 ,  5F031JA01 ,  5F031JA21 ,  5F031JA46 ,  5F031MA28 ,  5F031MA29 ,  5F031MA32 ,  5F031PA11 ,  5F031PA18 ,  5F045AA08 ,  5F045BB02 ,  5F045DP02 ,  5F045EJ02 ,  5F045EJ09 ,  5F045EK07 ,  5F045EK10 ,  5F045GB05
引用特許：
出願人引用 (4件)
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審査官引用 (3件)

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