特許

J-GLOBAL ID：200903080760905894

センサ・アレイの素子を絶縁する方法及び手段

発明者： ロバート・スティーブン・ルバンドウスキー ,  ローウェル・スコット・スミス ,  チャールズ・エドワード・バウムガートナー ,  デビッド・マーティン・ミルズ ,  ダグラス・グレン・ワイルズ ,  レイエット・アン・フィッシャー ,  ジョージ・チャールズ・ソゴイアン
出願人/特許権者： ゼネラル・エレクトリック・カンパニイ
代理人 (4件)： 松本 研一 ,  小倉 博 ,  伊藤 信和 ,  黒川 俊久
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-097702
公開番号（公開出願番号）：特開2005-295553
出願日： 2005年03月30日
公開日（公表日）： 2005年10月20日
要約：

【課題】 超微細加工超音波トランスデューサ(MUT)を提供する。【解決手段】 装置は、半導体の表面を有する基板(4)上又は基板中に構築されたセンサ・アレイ(2、39、40)と、各センサ素子をその隣接する素子と絶縁する手段(26、28、30、32、34、36、38又は46)とを備える。センサが超音波トランスデューサ素子である場合、音響クロストークを低減するために隣接するトランスデューサ素子間のトレンチの形態で音響絶縁が形成される。トレンチは音響減衰材料で充填することができる。電気クロストークを低減するために、半導体接合形態の電気的絶縁が隣接するトランスデューサ素子間で形成される。1つの実施例において、隣接するトランスデューサ素子間に配置された区域にイオン注入することによりバックツーバックpn接合ダイオードが形成される。これらの形式の絶縁は、単独又は共に用いることができる。【選択図】 図6

請求項（抜粋）：

基板の前面に配列され、各々が前記基板の材料に接触する複数のセンサ素子(2、39、40)と、 任意の前記センサ素子間のエネルギ形態での結合を低減するように前記基板の材料内に配列され、各々がそこに入射する前記エネルギ形態の伝播に対する障害をもたらす複数の障壁(26、28、30、32、34、36、38又は46)と、 を備えるセンサ装置。

IPC (3件)：

H04R17/00 ,  A61B8/00 ,  G01N29/24

FI (5件)：

H04R17/00 330K ,  H04R17/00 330G ,  H04R17/00 332A ,  A61B8/00 ,  G01N29/24 502

Fターム (20件)：

2G047AA06 ,  2G047BC07 ,  2G047CA01 ,  2G047EA10 ,  2G047GB02 ,  2G047GB17 ,  2G047GB21 ,  2G047GB23 ,  2G047GB32 ,  2G047GB33 ,  4C601EE09 ,  4C601GB06 ,  4C601GB19 ,  4C601GB30 ,  4C601GB41 ,  4C601GB48 ,  5D019AA22 ,  5D019BB18 ,  5D019FF04 ,  5D019GG05

引用特許：

出願人引用 (1件)

• 米国特許第6,359,367号
  

審査官引用 (3件)

• 集積化された音響トランスミッタと音響レシーバ、およびこれらの製作方法
  公報種別：公表公報   出願番号：特願2001-543984   出願人：エスティマイクロエレクトロニクスエスエー
• 半導体振動センサ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-403444   出願人：株式会社東芝
• 音響エネルギーの横方向の伝搬を制限する超小型超音波トランスデューサ(MUT)基板
  公報種別：公表公報   出願番号：特願2003-516947   出願人：コーニンクレッカフィリップスエレクトロニクスエヌヴィ