冷媒冷却型両面冷却半導体装置

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：大川宏
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-124497
公開番号（公開出願番号）：特開2001-308245
出願日： 2000年04月25日
公開日（公表日）： 2001年11月02日
要約：

【要約】【課題】製造工数の増大を抑止しつつ、用途種別に応じて種々のヒートシンク性能を実現可能な種々の冷媒冷却型両面冷却半導体装置を提供すること。【解決手段】それぞれ別体のモジュール1、冷媒チュ-ブ2、ヒートシンクマス3を準備し、モジュール1の両側に冷媒チュ-ブ2及びヒートシンクマス3をそれぞれ配置し、それらをモジュール1の厚さ方向に挟圧部材6、7、10で挟圧する。これにより、機種用途に応じて種々の質量のヒートシンクマス3を適宜採用するだけで、さまざまなヒートシンク性能をもつ装置を実現することができる。また、これらの部材は単一の挟圧構造6、7、10で挟圧されるので、簡素な構造、作業でモジュール両面における必要な接触圧を確保しつつそれらを一挙に一体化できる。

請求項（抜粋）：

一対の主面に電極端子部材の放熱面が露出する両面放熱型半導体モジュ-ルと、前記モジュールの両側に配置されて冷却流体が内部を流れる冷媒チュ-ブと、前記モジュールの両側に配置されて前記冷媒チュ-ブと密接するヒートシンクマスと、前記冷媒チュ-ブ又は前記ヒートシンクマスに前記モジュ-ルの両前記放熱面をそれぞれ絶縁スペ-サを介して密接させた状態で前記モジュ-ル、冷媒チュ-ブ及びヒートシンクマスを前記モジュ-ルの厚さ方向に挟圧する挟圧部材と、を備えることを特徴とする冷媒冷却型両面冷却半導体装置。

IPC (3件)：

H01L 23/473 , H01L 23/40 , H05K 7/20

FI (3件)：

H01L 23/40 E , H05K 7/20 N , H01L 23/46 Z

Fターム (13件)：

5E322AA07 , 5E322AB01 , 5E322DA04 , 5E322EA11 , 5E322FA01 , 5F036AA01 , 5F036BA05 , 5F036BB01 , 5F036BB41 , 5F036BC03 , 5F036BC09 , 5F036BC12 , 5F036BC23

引用特許：

審査官引用 (6件)

特開平1-201942
特開昭61-226946
特開平1-201942

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