パワー半導体素子

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (5件)：鈴江武彦 , 村松貞男 , 橋本良郎 , 河野哲 , 中村誠
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-567520
公開番号（公開出願番号）：特表2006-513580
出願日： 2003年01月29日
公開日（公表日）： 2006年04月20日
要約：

【解決手段】ノンドープGaNからなるチャネル層(1)と、チャネル層(1)の表面上に形成されたn型のAl0.2Ga0.8Nからなるバリア層(2)と、バリア層(2)上に選択的に形成されたp型のAl0.1Ga0.9Nからなる半導体層(3)と、半導体層(3)の両側のうちの一方側に位置するバリア層(2)上に形成されたドレイン電極(4)と、少なくとも半導体層(3)とドレイン電極(4)との間で半導体層(3)に隣接する位置のバリア層(2)上に形成された絶縁膜(7)と、絶縁膜(7)上に形成されたフィールドプレート電極(8)とを有するパワー半導体素子。

請求項（抜粋）：

ノンドープAlXGa1-XN(0≦X≦1)からなる第1の半導体層と、前記第1の半導体層の一方面上に形成されたノンドープもしくはn型のAlYGa1-YN(0≦Y≦1、X<Y)からなる第2の半導体層と、前記第2の半導体層上に選択的に形成されたp型のAlZGa1-ZN(0≦Z≦1)からなる第3の半導体層と、前記第3の半導体層の両側のうち一方側に位置する前記第2の半導体層上に形成された第1の電極と、少なくとも前記第3の半導体層と前記第1の電極との間で前記第3の半導体層に隣接する位置の前記第2の半導体層上に形成された絶縁膜と、前記絶縁膜上に形成されたフィールドプレート電極とを有するパワー半導体素子。

IPC (13件)：

H01L 29/808 , H01L 21/337 , H01L 29/06 , H01L 29/812 , H01L 29/778 , H01L 21/338 , H01L 29/78 , H01L 29/872 , H01L 29/47 , H01L 29/417 , H01L 29/423 , H01L 29/49 , H01L 29/41

FI (10件)：

H01L29/80 C , H01L29/06 301F , H01L29/80 H , H01L29/78 301B , H01L29/78 301W , H01L29/48 D , H01L29/50 J , H01L29/58 G , H01L29/58 Z , H01L29/44 Y

Fターム (53件)：

4M104AA04 , 4M104BB05 , 4M104BB06 , 4M104BB14 , 4M104CC01 , 4M104CC03 , 4M104CC05 , 4M104EE03 , 4M104EE16 , 4M104EE17 , 4M104FF10 , 4M104FF13 , 4M104FF31 , 4M104GG03 , 4M104GG08 , 4M104GG09 , 4M104GG12 , 4M104GG18 , 4M104HH20 , 5F102FA00 , 5F102FA01 , 5F102GB01 , 5F102GC01 , 5F102GD01 , 5F102GD04 , 5F102GJ04 , 5F102GL04 , 5F102GM04 , 5F102GQ01 , 5F102GR11 , 5F102GR12 , 5F140AA24 , 5F140AA25 , 5F140BA06 , 5F140BA09 , 5F140BB18 , 5F140BB19 , 5F140BD07 , 5F140BD11 , 5F140BD13 , 5F140BE07 , 5F140BF01 , 5F140BF05 , 5F140BF11 , 5F140BF15 , 5F140BH02 , 5F140BH05 , 5F140BH30 , 5F140BH47 , 5F140BJ07 , 5F140BJ11 , 5F140BJ15 , 5F140CD09

引用特許：

審査官引用 (5件)

高移動度トランジスタ
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-057070 出願人：古河電気工業株式会社
電界効果型トランジスタ
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-168602 出願人：日本電気株式会社
特開昭54-150981

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引用文献：

審査官引用 (2件)

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