特許
J-GLOBAL ID：200903080805998384

窒化物半導体レーザ素子およびそれを用いた装置

発明者：
津田 有三

津田 有三 について


出願人/特許権者：
シャープ株式会社

シャープ株式会社 について


代理人 (6件)： 深見 久郎 ,  森田 俊雄 ,  仲村 義平 ,  堀井 豊 ,  野田 久登 ,  酒井 將行
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-243478
公開番号（公開出願番号）：特開2006-066411
出願日： 2004年08月24日
公開日（公表日）： 2006年03月09日
要約：
【課題】 リッジストライプ部に印加される応力を低減して、水平FFPを整え、良好なレーザ出力特性を有する、窒化物半導体レーザ素子およびこれを用いた装置を提供すること。【解決手段】 半導体層に、リッジストライプ部が設けられ、該リッジストライプ部に沿って両脇に溝部が設けられ、前記リッジストライプ部と対向する、該溝部の脇に丘部が設けられた、窒化物半導体レーザ素子において、前記溝部の上方に形成された金属膜と該溝部の底部との間に空洞部を有することを特徴とする窒化物半導体レーザ素子を提供する。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
半導体層に、リッジストライプ部が設けられ、該リッジストライプ部に沿って両脇に溝部が設けられ、前記リッジストライプ部と対向する、該溝部の脇に丘部が設けられた、窒化物半導体レーザ素子において、 前記溝部の上方に形成された金属膜と該溝部の底部との間に空洞部を有することを特徴とする、窒化物半導体レーザ素子。
IPC (2件)：
H01S 5/22 ,  H01S 5/323
FI (2件)：
H01S5/22 ,  H01S5/323 610
Fターム (12件)：
5F173AA08 ,  5F173AH22 ,  5F173AK21 ,  5F173AP33 ,  5F173AP44 ,  5F173AR55 ,  5F173AR82 ,  5F173MC13 ,  5F173MD51 ,  5F173MD52 ,  5F173MD63 ,  5F173MD84
引用特許：
出願人引用 (1件) 審査官引用 (2件)

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