特許
J-GLOBAL ID：200903090306452104
半導体光機能素子およびその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
大垣 孝
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-175840
公開番号（公開出願番号）：特開2002-368337
出願日： 2001年06月11日
公開日（公表日）： 2002年12月20日
要約：
【要約】【課題】 寄生容量が小さく、素子の平坦化が図れ、メサ部分の側壁にかかる応力を低減することができ、かつ素子の信頼性が従来よりも高い。【解決手段】 基板18と、この基板の上側に形成された積層構造からなる光機能に寄与する逆メサ型構造部14と、基板18の上側であって、逆メサ型構造部の側壁面14x付近に形成された絶縁材料部16とを具えており、逆メサ型構造部の側壁面と、絶縁材料部との間には、空間部30が介在している。
請求項（抜粋）：
基板と、該基板の上側に形成された、積層構造からなる光機能に寄与する逆メサ型構造部と、前記基板の上側であって、該逆メサ型構造部の側壁面付近に形成された絶縁材料部とを具え、前記逆メサ型構造部の側壁面と前記絶縁材料部との間には空間部が介在していることを特徴とする半導体光機能素子。
IPC (2件)：
FI (2件)：
Fターム (11件)：
2H079BA01
, 2H079CA01
, 2H079CA04
, 2H079DA16
, 2H079EA07
, 2H079EB04
, 5F073AA13
, 5F073AA53
, 5F073CA12
, 5F073CB21
, 5F073EA28
出願人引用 (8件)
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審査官引用 (8件)
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