特許
J-GLOBAL ID：200903080806947635
発光素子およびその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
青山 葆 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-313487
公開番号（公開出願番号）：特開2002-124699
出願日： 2000年10月13日
公開日（公表日）： 2002年04月26日
要約：
【要約】【課題】 電流阻止層を有する発光ダイオードにおいて、発光効率に優れた結晶の内部構造を提供する。【解決手段】 発光ダイオードにおいて、電流拡散層(6)の内部に2層構造の電流阻止層:電流拡散層と同極性であってキャリア濃度は電流拡散層よりも小さい電流阻止層(8a)および電流拡散層と逆極性である電流阻止層(8b)、を設けることにより、電流は比抵抗が小さい電流阻止層の無い領域(9)に流れ込み、電流の一部は比抵抗のより高い同極性の電流阻止層領域(10)にも流れ込み、従って、電流狭窄領域(11)で均一に発光強度を得ることができる。
請求項（抜粋）：
半導体基板上に形成された発光層を含むPN接合および電流拡散層がエピタキシャル成長された発光ダイオードであって、電流拡散層内部に2層構造の電流阻止層が設けられていることを特徴とする発光ダイオード。
Fターム (7件)：
5F041AA03
, 5F041CA04
, 5F041CA34
, 5F041CA35
, 5F041CA74
, 5F041CB03
, 5F041FF01
