半導体発光素子

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：山本秀策
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-228364
公開番号（公開出願番号）：特開平9-074221
出願日： 1995年09月05日
公開日（公表日）： 1997年03月18日
要約：

【要約】【課題】半導体発光素子において、活性層の、電極直下以外の広域での発光を実現し、活性層からの光の電流拡散層での吸収を低減して、光の導出効率を向上させるとともに、電流拡散層の酸化による素子特性及び信頼性の低下を抑え、これにより信頼性の高い高輝度の半導体発光素子を得る。【解決手段】活性層3を含む発光部3aとp型電極11との間に電流拡散層7を設けるとともに、該電流拡散層7と発光部3aとの間に、該電極11と対向するよう電流阻止層6を設け、しかも該電流拡散層7を発光部3aよりもバンドギャップの大きいAlを含まない化合物半導体(GaP)により構成した。

請求項（抜粋）：

第1導電型の化合物半導体基板と、該化合物半導体基板上に、少なくとも第1導電型のクラッド層、活性層及び第2導電型のクラッド層を順次形成してなる発光部と、該発光部の所定領域上に配置された第1導電型の電流阻止層と、該発光部及び第1導電型の電流阻止層上に形成された第2導電型の電流拡散層と、該電流拡散層上に該電流阻止層と対向するよう配置された光取り出し側電極とを備え、該電流阻止層は、該光取り出し側電極と発光部との間で電流の流れをブロックするものであり、該電流拡散層は、該光取り出し側電極と発光部との間で電流経路の断面積が、該発光部側に近づくほど広がるよう電流を拡散するものであり、該発光部を構成する半導体材料よりもバンドギャップの大きいAlを含まない化合物半導体から構成されている半導体発光素子。

IPC (2件)：

H01L 33/00 , H01L 29/205

FI (2件)：

H01L 33/00 B , H01L 29/205

引用特許：

審査官引用 (9件)

半導体発光装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-044451 出願人：株式会社東芝
特開平4-229665
特開平4-315479

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