特許

J-GLOBAL ID：200903080854760571

結晶配向セラミックス基板及びデバイス

発明者： 谷 俊彦 ,  竹内 嗣人
出願人/特許権者： 株式会社豊田中央研究所
代理人 (1件)： 高橋 祥泰
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-062132
公開番号（公開出願番号）：特開平10-245298
出願日： 1997年02月28日
公開日（公表日）： 1998年09月14日
要約：

【要約】【課題】 配向度の高い機能性薄膜を形成可能であり,かつ安価に製造可能で,大面積のものを容易に得ることができる結晶配向セラミックス基板及びこれよりなるデバイスを提供すること。【解決手段】 等方状ペロブスカイト型化合物多結晶または層状ペロブスカイト型化合物多結晶よりなると共に該多結晶における少なくとも一つの結晶面が優先配向した結晶配向セラミックス基板であって,該基板の配向度はロットゲーリング法で20%以上ある。

請求項（抜粋）：

等方状ペロブスカイト型化合物多結晶または層状ペロブスカイト型化合物多結晶よりなると共に該多結晶における少なくとも一つの結晶面が優先配向した結晶配向セラミックス基板であって,該基板の配向度はロットゲーリング(Lotgering)法で20%以上あることを特徴とする結晶配向セラミックス基板。

IPC (11件)：

C30B 29/22 ,  H01L 23/13 ,  H01L 27/10 311 ,  H01L 27/10 451 ,  H01L 29/84 ,  H01L 37/02 ,  H01L 39/02 ZAA ,  H01L 39/24 ZAA ,  H01L 41/187 ,  H01L 43/10 ,  H01L 49/00

FI (11件)：

C30B 29/22 Z ,  H01L 27/10 311 ,  H01L 27/10 451 ,  H01L 29/84 Z ,  H01L 37/02 ,  H01L 39/02 ZAA W ,  H01L 39/24 ZAA W ,  H01L 43/10 ,  H01L 49/00 ,  H01L 23/12 C ,  H01L 41/18 101 D

引用特許：

審査官引用 (5件)

• 特開昭61-275158
  
• 特開昭63-285159
  
• 超電導性シート及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-297917   出願人：日本碍子株式会社
• 複合圧電デバイス
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-152157   出願人：松下電器産業株式会社
• Y123型結晶構造を有する酸化物結晶膜及び膜積層体
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-108569   出願人：財団法人国際超電導産業技術研究センター, 旭硝子株式会社, 石川島播磨重工業株式会社, 三菱電線工業株式会社, 株式会社ジャパンエナジー, 京セラ株式会社