特許
J-GLOBAL ID：200903080877202932

半導体装置

発明者：
福原 和矢

福原 和矢 について

, 
島本 晴夫

島本 晴夫 について


出願人/特許権者：
株式会社ルネサステクノロジ

株式会社ルネサステクノロジ について


代理人 (4件)： 村上 啓吾 ,  大岩 増雄 ,  児玉 俊英 ,  竹中 岑生
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-202354
公開番号（公開出願番号）：特開2004-047684
出願日： 2002年07月11日
公開日（公表日）： 2004年02月12日
要約：
【課題】QFN型のパッケージ構造の利点を生かしつつ、さらに一層の小型、薄型化を安価に実現することができる半導体装置を提供する。【解決手段】ICチップ1が搭載されたリードフレーム2と、エポキシ樹脂で成形された枠状の外囲器3とを有し、リードフレーム2と外囲器3とは略同じ外周寸法に形成され、かつリードフレーム2は、フレーム間の隙間が上記と同じエポキシ樹脂5で充填されて外囲器3と一体化されており、また、外囲器3の上部には、その開口を封止するキャップ6が取り付けられて外囲器3の内部が密閉されている。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
ICチップが搭載されたリードフレームと、エポキシ樹脂で成形された枠状の外囲器とを有し、上記リードフレームと外囲器とは略同じ外周寸法に形成され、かつ、上記リードフレームはフレーム間の隙間が上記エポキシ樹脂で充填されて上記外囲器と一体化されており、また、上記外囲器の上部には、その開口を封止するキャップが取り付けられて上記外囲器の内部が密閉されていることを特徴とする半導体装置。
IPC (4件)：
H01L23/02 ,  H01L23/08 ,  H01L23/50 ,  H01L31/02
FI (4件)：
H01L23/02 F ,  H01L23/08 A ,  H01L23/50 R ,  H01L31/02 B
Fターム (13件)：
5F067AA01 ,  5F067AB04 ,  5F067BC12 ,  5F088BA15 ,  5F088BA18 ,  5F088BB10 ,  5F088EA06 ,  5F088JA02 ,  5F088JA06 ,  5F088JA10 ,  5F088JA12 ,  5F088JA18 ,  5F088JA20
引用特許：
審査官引用 (3件)

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