特許
J-GLOBAL ID：200903080906308869

電界放射型電子源およびその製造方法および平面発光装置およびディスプレイ装置および固体真空デバイス

発明者：
菰田 卓哉

菰田 卓哉 について

, 
越田 信義

越田 信義 について


出願人/特許権者：
松下電工株式会社

松下電工株式会社 について


代理人 (1件)： 西川 惠清 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-272340
公開番号（公開出願番号）：特開平11-329213
出願日： 1998年09月25日
公開日（公表日）： 1999年11月30日
要約：
【要約】【課題】電子を安定して高効率で放出できる低コストの電界放射型電子源を提供する。【解決手段】導電性基板たるn形シリコン基板1の表面側に急速熱酸化された多孔質ポリシリコン層6が形成され、急速熱酸化された多孔質ポリシリコン層6上に金属薄膜たる金薄膜7が形成されている。n形シリコン基板1の裏面にはオーミック電極2が形成されている。金薄膜7をn形シリコン基板1に対して正極として金薄膜7とオーミック電極2との間に電圧を印加することにより、n形シリコン基板1から急速熱酸化された多孔質ポリシリコン層6に注入された電子が金薄膜7を通して放出される。
請求項（抜粋）：
導電性基板と、導電性基板の一表面側に形成され酸化されたナノメータ単位の構造を有する多孔質のポリシリコン層と、該多孔質のポリシリコン層上に形成された金属薄膜とを備え、金属薄膜を導電性基板に対して正極として電圧を印加することにより金属薄膜を通して電子線を放射することを特徴とする電界放射型電子源。
IPC (7件)：
H01J 1/30 ,  H01J 9/02 ,  H01J 19/24 ,  H01J 21/04 ,  H01J 21/10 ,  H01J 29/04 ,  H01J 31/12
FI (7件)：
H01J 1/30 M ,  H01J 9/02 M ,  H01J 19/24 ,  H01J 21/04 ,  H01J 21/10 ,  H01J 29/04 ,  H01J 31/12 C
引用特許：
審査官引用 (2件)
  • 冷電子放出表示装置
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-069602   出願人：パイオニア株式会社, 越田信義
  • 電子放出素子
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-071864   出願人：パイオニア株式会社

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