特許
J-GLOBAL ID：200903080908289411

n型ショットキー障壁貫通トランジスタ素子及びその製造方法

発明者：
キム、ヤク、ヨン

キム、ヤク、ヨン について

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ジャン、ムン、ギュ

ジャン、ムン、ギュ について

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シン、ジェ、ヒョン

シン、ジェ、ヒョン について

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リー、ソン、ジェ

リー、ソン、ジェ について


出願人/特許権者：
韓國電子通信研究院

韓國電子通信研究院 について


代理人 (6件)： 吉武 賢次 ,  橘谷 英俊 ,  佐藤 泰和 ,  吉元 弘 ,  川崎 康 ,  関根 毅
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-321264
公開番号（公開出願番号）：特開2006-179870
出願日： 2005年11月04日
公開日（公表日）： 2006年07月06日
要約：
【課題】n型ショットキー障壁貫通トランジスタ素子及びその製造方法を提供する。【解決手段】チャンネル領域が形成されるシリコン層、シリコン層上にチャンネル領域上に重畳されるように形成され、シリコン層との界面にゲート誘電層を伴うゲート、シリコン層上にチャンネル領域を挟むソース/ドレインから形成された希土類金属シリサイド層及び遷移金属シリサイド層を備える二重層により構成されるn型ショットキー障壁貫通トランジスタ素子である。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
チャンネル領域が形成されるシリコン層と、 前記シリコン層上に前記チャンネル領域上に重畳されるように形成され、前記シリコン層との界面にゲート誘電層を伴うゲートと、 前記シリコン層上に前記チャンネル領域を挟むソース/ドレインから形成された希土類金属シリサイド層と、 前記希土類金属シリサイド層上に形成され、前記希土類金属シリサイド層と共に前記ソース及びドレインをなす遷移金属シリサイド層とを備えることを特徴とするn型ショットキー障壁貫通トランジスタ。
IPC (5件)：
H01L 29/78 ,  H01L 29/872 ,  H01L 29/47 ,  H01L 21/28 ,  H01L 29/786
FI (5件)：
H01L29/78 301S ,  H01L29/48 F ,  H01L29/48 M ,  H01L21/28 301S ,  H01L29/78 616U
Fターム (56件)：
4M104AA01 ,  4M104AA09 ,  4M104BB01 ,  4M104BB19 ,  4M104BB20 ,  4M104BB21 ,  4M104BB25 ,  4M104CC03 ,  4M104GG09 ,  4M104GG10 ,  4M104GG14 ,  5F110AA03 ,  5F110AA30 ,  5F110BB05 ,  5F110CC02 ,  5F110DD05 ,  5F110DD13 ,  5F110EE05 ,  5F110EE09 ,  5F110EE15 ,  5F110EE31 ,  5F110EE43 ,  5F110FF01 ,  5F110FF02 ,  5F110GG02 ,  5F110GG12 ,  5F110HK05 ,  5F110HK21 ,  5F110HK32 ,  5F110HK40 ,  5F110HK41 ,  5F140AA10 ,  5F140AC32 ,  5F140AC36 ,  5F140BA01 ,  5F140BD11 ,  5F140BF04 ,  5F140BF18 ,  5F140BF21 ,  5F140BF28 ,  5F140BG08 ,  5F140BG12 ,  5F140BG34 ,  5F140BG38 ,  5F140BG45 ,  5F140BG53 ,  5F140BH07 ,  5F140BJ08 ,  5F140BJ11 ,  5F140BJ18 ,  5F140BJ30 ,  5F140BK09 ,  5F140BK29 ,  5F140BK34 ,  5F140BK39 ,  5F140CF04
引用特許：
出願人引用 (1件)
  • 大韓民国特許10-1988-0042717号明細書({ショットキートンネル障壁を利用した単一電子トランジスタ及びその製造方法}、1998年10月13日登録)
審査官引用 (2件)

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