特許

J-GLOBAL ID：200903080932859750

絶縁基板を有する発光ダイオード

発明者： 宋 ▲しゅー▼ 文 ,  古 錦 ▲福▼ ,  劉 家 呈 ,  謝 明 勳 ,  ▲黄▼ 兆 年
出願人/特許権者： 晶元光電股▲ふん▼有限公司
代理人 (1件)： 伊東 忠彦 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-156095
公開番号（公開出願番号）：特開2003-060236
出願日： 2002年05月29日
公開日（公表日）： 2003年02月28日
要約：

【要約】【課題】 本発明は、同一の材料から形成されるp形のオーミック電極とn形のオーミック電極を有するLEDを提供することを目的とする。【解決手段】 本発明では、LEDは、絶縁基板、絶縁基板上に配置されるバッファ層、バッファ層上に配置され、第1の表面及び第2の表面を有するn+形コンタクト層、n+形コンタクト層の第1の表面上に配置されるn形クラッド層、n形クラッド層上に配置される発光層、発光層上に配置されるp形クラッド層、p形クラッド層上に配置されるp形コンタクト層、p形コンタクト層上に配置されるn+形逆方向トンネリング層、n+形逆方向トンネリング層上に配置されるp形の透明オーミック電極、及び、n+形コンタクト層の第2の表面に配置されるn形の透明オーミック電極を含む。p形の透明オーミック電極とn形の透明オーミック電極は同一の材料から形成される。

請求項（抜粋）：

絶縁基板と、上記絶縁基板上に配置され、第1の表面及び第2の表面を含む半導体からなる多層と、上記第1の表面上に配置される第1の透明オーミック電極と、上記第2の表面上に配置される第2の透明オーミック電極とを含み、上記第1の表面と上記絶縁基板との間の距離は、上記第2の表面と上記絶縁基板との間の距離より大きく、上記第1の透明オーミック電極及び上記第2の透明オーミック電極は、同一の材料を含む発光ダイオード。

IPC (2件)：

H01L 33/00 ,  H01L 21/28 301

FI (3件)：

H01L 33/00 E ,  H01L 33/00 C ,  H01L 21/28 301 B

Fターム (18件)：

4M104AA04 ,  4M104BB29 ,  4M104BB36 ,  4M104CC01 ,  4M104DD34 ,  4M104DD63 ,  4M104DD94 ,  4M104FF03 ,  4M104GG04 ,  4M104HH20 ,  5F041AA42 ,  5F041AA43 ,  5F041CA04 ,  5F041CA05 ,  5F041CA40 ,  5F041CA88 ,  5F041CA98 ,  5F041CA99

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 半導体発光素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-236482   出願人：ローム株式会社
• 半導体レーザ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-230006   出願人：三菱電機株式会社