特許

J-GLOBAL ID：200903080986051448

成膜方法

発明者： 三ツ井 英明 ,  長澤 弘幸 ,  山口 洋一
出願人/特許権者： ホーヤ株式会社
代理人 (1件)： 関 正治
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-229677
公開番号（公開出願番号）：特開平9-052793
出願日： 1995年08月11日
公開日（公表日）： 1997年02月25日
要約：

【要約】【課題】 膜と基板との界面における完全性、均一性及び高純度性の極めて高い接合界面を有し、しかも任意の結晶構造を有する2以上の成分からなる薄膜を生成する方法の提供。【解決手段】 支持媒体の上に該成分のうちの一部の成分を有する出発物質からなる基膜が形成されたものを生成し、該基膜に残りの成分を含む反応物質を反応させて所望の膜に変成させることにより、支持媒体上に目的の薄膜が形成されたものを得る。支持媒体を金属酸化物からなる絶縁物とし、基膜を形成する物質が結晶性を有するものであってよい。また、基膜部分は、支持媒体上に基膜を形成する方法によっても、基膜の一部を支持媒体に変成する方法によっても形成できる。

請求項（抜粋）：

2以上の成分からなる膜を生成する方法であって、支持媒体上に形成され該成分のうちの一部の成分を有する出発物質からなる基膜を生成し、該基膜に残りの成分を含む反応物質を反応させて所望の膜に変成させる成膜方法。

IPC (4件)：

C30B 25/18 ,  H01L 21/02 ,  H01L 21/20 ,  H01L 27/12

FI (4件)：

C30B 25/18 ,  H01L 21/02 B ,  H01L 21/20 ,  H01L 27/12 B

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 特開昭62-012698
  
• 特開昭62-012699
  
• 炭化珪素薄膜の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-175433   出願人：松下電器産業株式会社
• 炭化ケイ素膜の形成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-264755   出願人：ホーヤ株式会社