特許

J-GLOBAL ID：200903081014190479

半導体パッケージとその製造法及び半導体パッケージ用絶縁テープ基板

発明者： 守田 俊章 ,  梶原 良一 ,  小泉 正博 ,  高橋 和弥 ,  御田 護 ,  佐藤 巧 ,  西村 英人 ,  佐藤 隆
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所 ,  日立電線株式会社
代理人 (1件)： 高田 幸彦 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-177357
公開番号（公開出願番号）：特開2001-358255
出願日： 2000年06月13日
公開日（公表日）： 2001年12月26日
要約：

【要約】 (修正有)【課題】半導体チップの電極と、絶縁テープ基板の金属配線とをダメージなく堅牢に接合する半導体パッケージの製造法及び半導体パッケージ用絶縁テープ基板を提供する。【解決手段】半導体チップ1に形成された複数の電極パッド2と、半導体チップ1に搭載した絶縁テープ基板7に形成された複数の金属配線5とを直接接続するのに際し、金属配線5はビツカース硬さ60〜100で金めっきの厚さが0.01〜0.8μmの銅合金とする。金属配線5と電極パッド2との接続界面の外周部及び中央部に接合両金属による金属間化合物が形成されるよう、熱と荷重を加えながら周波数が100kHz以上、振幅が1.5μm以下での横方向の超音波振動を与えて接合する。

請求項（抜粋）：

半導体チップに形成された複数の電極と、前記半導体チップに搭載した絶縁テープ基板に形成された複数の金属配線とが超音波振動を用いて直接接続された半導体パッケージにおいて、前記金属配線は金めっきが施された銅または銅合金製であり、かつ前記金めっきの厚さが0.01〜0.8μmであり、前記金属配線と電極との接続界面の少なくとも接続部の外周部及び中央部に前記金属配線を構成する金属と前記電極を構成する金属との金属間化合物が形成していることを特徴とする半導体パッケージ。

IPC (5件)：

H01L 23/12 501 ,  H01L 23/12 ,  H01L 21/60 311 ,  H01L 21/60 ,  H01L 21/607

FI (5件)：

H01L 23/12 501 V ,  H01L 23/12 501 F ,  H01L 21/60 311 W ,  H01L 21/60 311 R ,  H01L 21/607 B

Fターム (3件)：

5F044MM22 ,  5F044MM23 ,  5F044NN08

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 半導体パッケージ及びその製法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-100030   出願人：株式会社日立製作所, 株式会社日立超エル・エス・アイ・システムズ
• 半導体装置用パッケージおよび半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-121351   出願人：新光電気工業株式会社
• 半導体装置用フィルムキャリアテープ及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-157917   出願人：日立電線株式会社