特許

J-GLOBAL ID：200903042512535585

酸化物積層構造およびその製造方法

発明者： 鈴木 真之 ,  網 隆明
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 杉浦 正知
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-336158
公開番号（公開出願番号）：特開平10-182292
出願日： 1996年12月16日
公開日（公表日）： 1998年07月07日
要約：

【要約】【課題】 強誘電体不揮発性メモリ、酸化物超伝導デバイスなどの電子素子や酸化物光変調素子などの酸化物光学素子を最適構造で実現可能な酸化物積層構造およびその製造方法を提供する。 【解決手段】 Si基板1上にCeO2 薄膜2を介してSrRuO3 薄膜3を下部電極として積層した酸化物積層構造を用い、その上に強誘電体薄膜としてのPZT薄膜4および上部電極としてのSrRuO3 薄膜5を順次積層して強誘電体不揮発性メモリを構成する。Si基板1、CeO2 薄膜2、SrRuO3 薄膜3およびSrRuO3 薄膜5は(100)面方位、PZT薄膜4は(001)面方位を有する。SrRuO3 薄膜3およびSrRuO3 薄膜5の代わりにそれぞれ、Ceが拡散されたNd2 CuO4 :Ce薄膜およびNd2 CuO4 薄膜を用いてもよい。Nd2 CuO4 :Ce薄膜は、例えば、CeO2 薄膜2上にNd2 CuO4 薄膜を成長させた後、700〜1150°Cで熱処理を行ってCeO2 薄膜2からそのNd2 CuO4 薄膜にCeを拡散させることにより形成する。

請求項（抜粋）：

シリコン基板と、上記シリコン基板上の、酸化セリウムからなり、かつ、(100)面方位を有するバッファ層と、上記バッファ層上の導電性酸化物薄膜とを有することを特徴とする酸化物積層構造。

IPC (12件)：

C30B 29/22 ,  H01L 21/02 ,  H01L 21/203 ,  H01L 21/316 ,  H01L 27/10 451 ,  H01L 27/108 ,  H01L 21/8242 ,  H01L 21/8247 ,  H01L 29/788 ,  H01L 29/792 ,  H01L 39/02 ZAA ,  H01L 39/24 ZAA

FI (9件)：

C30B 29/22 Z ,  H01L 21/02 B ,  H01L 21/203 M ,  H01L 21/316 X ,  H01L 27/10 451 ,  H01L 39/02 ZAA D ,  H01L 39/24 ZAA D ,  H01L 27/10 651 ,  H01L 29/78 371

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 機能性薄膜積層体
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-023180   出願人：株式会社リコー, リコー応用電子研究所株式会社
• 超伝導超格子結晶デバイス
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-025512   出願人：宇都宮大学長
• FET素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-298965   出願人：三菱化成株式会社
• 焦電型赤外線薄膜素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-331688   出願人：株式会社堀場製作所