特許

J-GLOBAL ID：200903081060810570

電極材料及びこれを用いた容量素子

発明者： 秋山 善一
出願人/特許権者： 株式会社リコー
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-347409
公開番号（公開出願番号）：特開平9-162372
出願日： 1995年12月13日
公開日（公表日）： 1997年06月20日
要約：

【要約】【課題】 耐熱性に優れた下部電極を備えた容量素子を提供する。【解決手段】 シリコン基板10上に形成した酸化膜11上にチタン等からなる接着層12を形成し、その上に白金を主成分とし、白金と白金族元素からなる合金層を下部電極13として堆積させる。下部電極13上に強誘電体膜14と、下部電極13と同じ組成の白金合金膜による上部電極15とを堆積させる。上部電極15および下部電極13は例えば、ロジウムを3〜25wt%含む白金-ロジウム合金で形成する。

請求項（抜粋）：

基板上に形成される下部電極と、この下部電極上に形成される誘電体薄膜と、この誘電体薄膜上に形成される上部電極とを備えて構成される容量素子において、前記上部電極および下部電極の電極材料が、白金を主成分とし、白金とこれ以外の白金族元素との合金材料であることを特徴とする容量素子用電極材料。

IPC (5件)：

H01L 27/108 ,  H01L 21/8242 ,  H01L 27/04 ,  H01L 21/822 ,  H01L 27/10 451

FI (3件)：

H01L 27/10 651 ,  H01L 27/10 451 ,  H01L 27/04 C

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 強誘電体コンデンサ及びその形成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-099773   出願人：ラムトロン・インターナショナル・コーポレーション
• 半導体メモリ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-138193   出願人：ソニー株式会社
• 強誘電体容量素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-235330   出願人：オリンパス光学工業株式会社, シメトリックス・コーポレーション