微細パターンの形成方法および半導体装置の製造方法

発明者： ,
出願人/特許権者： ,
代理人 (1件)：高田守 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-301673
公開番号（公開出願番号）：特開2001-127037
出願日： 1999年10月22日
公開日（公表日）： 2001年05月11日
要約：

【要約】【課題】本発明はレジストパターンの新規な処理方法を含む微細パターン形成方法に関し、レジストパターンに優れたエッチング耐性を与えることを目的とする。【解決手段】酸化シリコン膜2の上にフォトレジスト1の膜を形成する(図2(a))。フォトレジスト1の所定部分を波長200nm以下の光に露光させる(図2(b))。露光後のフォトレジスト1aを現像してパターニングする(図2(c))。パターニングされたフォトレジスト1aの全面に、波長200nm以下の放射線7を照射する(図2(d))。放射線7の照射後に、パターニングされたフォトレジスト1aをマスクとして酸化シリコン膜2をエッチングする(図2(e))。

請求項（抜粋）：

所望パターンにパターニングされたフォトレジストをマスクとして微細パターンを形成する方法であって、下地基板上にフォトレジストの膜を形成する工程と、前記フォトレジストの膜の所定部分を波長200nm以下の光に露光させる工程と、露光後の前記フォトレジストを現像して、そのフォトレジストを前記所望パターンにパターニングする工程と、パターニングされた前記フォトレジストの全面に、波長200nm以下の光を照射する前処理を施す工程と、前記前処理の後に、パターニングされた前記フォトレジストをマスクとして、前記フォトレジストの下地層に微細パターンを形成する工程と、を含むことを特徴とする微細パターンの形成方法。

IPC (2件)：

H01L 21/3065 , H01L 21/027

FI (3件)：

H01L 21/302 N , H01L 21/30 570 , H01L 21/302 H

Fターム (12件)：

5F004AA16 , 5F004BA04 , 5F004DA00 , 5F004DA02 , 5F004DA16 , 5F004DA23 , 5F004DA26 , 5F004DB03 , 5F004EA19 , 5F004EA40 , 5F046LA18 , 5F046LA19

引用特許：

出願人引用 (4件)

特開昭60-110124
ドライエッチング方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-236117 出願人：株式会社日立製作所, 工業技術院長
特開昭62-295418

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審査官引用 (9件)

特開昭60-110124
特開昭60-110124
ドライエッチング方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-236117 出願人：株式会社日立製作所, 工業技術院長

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