特許
J-GLOBAL ID：200903081137352570
積層半導体装置
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
野河 信太郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-304040
公開番号（公開出願番号）：特開2001-127243
出願日： 1999年10月26日
公開日（公表日）： 2001年05月11日
要約：
【要約】【課題】 半導体チップ間を接続する配線の自由度を向上させると共に、要求される仕様に対して半導体チップ間を接続する電極の配置を積層半導体装置ごとに大きく設計変更する必要をなくして多品種少量生産を行いやすい積層半導体装置を提供すること。【解決手段】 積層半導体装置は、積層された複数の半導体チップを備え、その半導体チップは、半導体チップを貫通して設けられる貫通電極と、半導体チップの表面に設けられる第1電極と、半導体チップの裏面に設けられる第2電極と、半導体チップの表面及び裏面に設けられ貫通電極を介して第1及び第2電極を選択的に接続する配線パターンとを有し、半導体チップを積層することにより下側半導体チップの第1電極と上側半導体チップの第2電極とが相互接続されている。
請求項（抜粋）：
積層された複数の半導体チップを備え、その半導体チップは、半導体チップを貫通して設けられる貫通電極と、半導体チップの表面に設けられる第1電極と、半導体チップの裏面に設けられる第2電極と、半導体チップの表面及び裏面に設けられ貫通電極を介して第1及び第2電極を選択的に接続する配線パターンとを有し、半導体チップを積層することにより下側半導体チップの第1電極と上側半導体チップの第2電極とが相互接続されている積層半導体装置。
IPC (3件)：
H01L 25/065
, H01L 25/07
, H01L 25/18
