特許
J-GLOBAL ID：200903081141547670
マスクの欠陥修正方法、マスクの欠陥修正装置、および半導体装置の製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
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代理人 (7件)：
鈴江 武彦
, 村松 貞男
, 坪井 淳
, 橋本 良郎
, 河野 哲
, 中村 誠
, 河井 将次
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-191193
公開番号（公開出願番号）：特開2004-037579
出願日： 2002年06月28日
公開日（公表日）： 2004年02月05日
要約：
【課題】マスクの欠陥修正工程における高効率化を図り、欠陥修正工程における歩留まり低下などを容易に抑制できるマスクの欠陥修正方法を提供する。【解決手段】マスク2が有する欠陥周辺のマスク像に基づいて作成された欠陥データ15、およびマスク2の製作用の設計データのうちマスク像に対応する参照データ16を用いて、それぞれのパターン転写像17,18をシミュレートする。欠陥データ15に基づく欠陥シミュレーション像17の、参照データ16に基づく参照シミュレーション像18からのずれを調べ、欠陥に対して修正を施すべきか否かを判定する。欠陥に対して修正を施すべきであると判定した場合、参照データ16を用いて理想的な転写シミュレーション像に対して許容される誤差の範囲をシミュレートし、この範囲とマスク像とを比較する。欠陥のうち、許容誤差の範囲から外れているマスク像の領域に対応する部分に対して修正を施す。【選択図】 図2
請求項（抜粋）：
マスクが有する欠陥およびこの欠陥の周辺のマスク像を取得し、
前記欠陥および前記欠陥の周辺のマスクパターンを転写する際の転写像を、前記マスク像に基づいて作成されたパターンデータ、および前記マスクを製作する際に用いる設計データのうち前記マスク像に対応する設計データの各データを用いてシミュレートし、
前記パターンデータに基づく転写シミュレーション像の、前記設計データに基づく理想的な転写シミュレーション像からのずれを調べることにより、前記欠陥に対して修正を施すべきか否かを判定し、
前記欠陥が修正されるべき欠陥であると判定された場合、前記設計データを用いて、前記理想的な転写シミュレーション像に対して許容される誤差の範囲をシミュレートし、
この許容誤差の範囲および前記理想的な転写シミュレーション像と前記マスク像とを比較して、前記欠陥のうち、前記許容誤差の範囲から外れている前記マスク像の領域に対応する部分に対して修正を施すことを特徴とするマスクの欠陥修正方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
G03F1/08 T
, H01L21/30 502W
2H095BD02
, 2H095BD22
, 2H095BD28
, 2H095BD35
