特許
J-GLOBAL ID：200903081187049852
半導体装置及びその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
大垣 孝
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-059269
公開番号（公開出願番号）：特開2006-245311
出願日： 2005年03月03日
公開日（公表日）： 2006年09月14日
要約：
【課題】放熱効果を向上させた半導体装置、半導体の積層構造体、実装構造体及びその製造方法を提供する。【解決手段】半導体装置10は、第1主表面10a及びこの第1主表面10aと対向する第2主表面10bと、第1主表面から第2主表面に貫通し、第1及び第2の主表面の端縁に沿って複数が配列されている貫通電極部12と、第1主表面から第2主表面に貫通し、貫通電極部の配列に沿って、配列されている複数の放熱貫通部20とを具えている。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
第1主表面及び該第1主表面と対向する第2主表面と、
前記第1主表面から前記第2主表面に貫通し、前記第1及び第2主表面の端縁に沿って配列されている複数個の貫通電極部と、
前記第1主表面から前記第2主表面に貫通している複数個の放熱貫通部と
を具えていることを特徴とする半導体装置。
IPC (3件)：
H01L 25/18
, H01L 25/07
, H01L 25/065
出願人引用 (6件)
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審査官引用 (6件)
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