特許

J-GLOBAL ID：200903081195154509

ドライエッチング方法及びその装置

発明者： 辰巳 哲也
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 高橋 光男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-346357
公開番号（公開出願番号）：特開平9-162177
出願日： 1995年12月12日
公開日（公表日）： 1997年06月20日
要約：

【要約】【課題】 高密度プラズマを生成するプラズマエッチング装置を使用して、基板にドライエッチングを施す際に、エッチングの面内均一性を保持できるようなドライエッチング方法及びその方法を実施する装置を提供する。【解決手段】 本発明に係るICP型プラズマエッチング装置30は、従来のICP型プラズマエッチング装置の構成に加えて、高密度プラズマが生成される上部チャンバ16の天井壁のほぼ中央に排気ポート31が設けられ、そこに補助真空ポンプ32がコンダクタンスバルブ34を介して接続されている。これにより、高密度プラズマ領域の再解離物は、主排気装置の真空吸引装置26により排出されるガスとは独立して排出される。

請求項（抜粋）：

高密度プラズマを生成するプラズマエッチング装置を使用して、基板にエッチングを施す際に、基板とエッチングガスとから生成した反応生成物の解離物を含むガスを高密度プラズマ領域から吸引することを特徴とするドライエッチング方法。

IPC (3件)：

H01L 21/3065 ,  C23F 4/00 ,  H05H 1/46

FI (4件)：

H01L 21/302 B ,  C23F 4/00 A ,  C23F 4/00 D ,  H05H 1/46 L

引用特許：

審査官引用 (3件)

• プラズマ処理装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-045561   出願人：日新電機株式会社
• プラズマ装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-329575   出願人：日本電気株式会社
• ドライエッチング方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-003436   出願人：ソニー株式会社