切断起点領域の形成方法

発明者： , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (4件)：長谷川芳樹 , 寺崎史朗 , 石田悟 , 城戸博兒
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2009-146370
公開番号（公開出願番号）：特開2009-206534
出願日： 2009年06月19日
公開日（公表日）： 2009年09月10日
要約：

【課題】隣り合う機能素子の間隔を狭くすることができ、1枚の半導体基板から分離される半導体チップの数を増加させることが可能となる基板の分割のための切断起点領域の形成方法を提供する。【解決手段】表面3に複数の機能素子19がマトリックス状に形成された基板1の内部に集光点を合わせてレーザ光を照射し、基板1の内部に切断予定ラインに沿った改質領域を形成し、この改質領域を切断起点領域として、基板1を分割するための当該切断起点領域の形成方法であって、切断起点領域を、基板1の厚さ方向における中心位置から基板1の表面側に偏倚して形成し、切断起点領域を起点として基板1の厚さ方向に生じる割れにより、複数の機能素子19を個々に分割する一方、割れが基板1の裏面21には到達していないように、切断起点領域を形成することを特徴とする。【選択図】図16

請求項（抜粋）：

表面に複数の機能素子がマトリックス状に形成された基板の内部に集光点を合わせてレーザ光を照射し、前記基板の内部に切断予定ラインに沿った改質領域を形成し、この改質領域を切断起点領域として、基板を分割するための当該切断起点領域の形成方法であって、前記切断起点領域を、前記基板の厚さ方向における中心位置から前記基板の表面側に偏倚して形成し、前記切断起点領域を起点として前記基板の厚さ方向に生じる割れにより、前記複数の機能素子を個々に分割する一方、前記割れが前記基板の裏面には到達していないように、切断起点領域を形成することを特徴とする基板の分割のための切断起点領域の形成方法。

IPC (3件)：

H01L 21/301 , B23K 26/38 , B23K 26/00

FI (3件)：

H01L21/78 B , B23K26/38 320 , B23K26/00 H

Fターム (5件)：

4E068AE00 , 4E068CB02 , 4E068CC02 , 4E068CE04 , 4E068DA10

引用特許：

審査官引用 (5件)

脆性基板の分割方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2000-143361 出願人：株式会社ディスコ
特開昭64-038209
特開平4-111800

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