特許

J-GLOBAL ID：200903081245787729

3次元デバイス構造の形成方法

発明者： 小西 聡
出願人/特許権者： 学校法人立命館
代理人 (1件)： 渡辺 三彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-007503
公開番号（公開出願番号）：特開2000-204479
出願日： 1999年01月14日
公開日（公表日）： 2000年07月25日
要約：

【要約】【課題】 3次元デバイス構造を、被成膜対象物に効率良く形成できると共に、被形成面が立体的である場合でも形成できる3次元デバイス構造の形成方法を提供する。【解決手段】 被成膜対象物1に対し、絶縁体溶液を所望のパターンで描画し、加熱、乾燥させることにより絶縁膜4を選択的に形成する工程と、シランカップリング剤溶液を所望のパターンで描画し、加熱、乾燥させ、表面活性化処理し、化学メッキすることにより金属膜5を選択的に形成する工程とを所定の組合せ及び順序で実行する。所定段階で前記絶縁膜4又は金属膜5の少なくとも一部を除去する。

請求項（抜粋）：

被成膜対象物に対し、絶縁体溶液を所望のパターンで描画し、加熱、乾燥させることにより絶縁膜を選択的に形成する工程と、シランカップリング剤溶液を所望のパターンで描画し、加熱、乾燥させ、表面活性化処理し、化学メッキすることにより金属膜を選択的に形成する工程とを所定の組合せ及び順序で実行することを特徴とする3次元デバイス構造の形成方法。

IPC (2件)：

C23C 18/18 ,  H01L 21/288

FI (2件)：

C23C 18/18 ,  H01L 21/288 Z

Fターム (26件)：

4K022AA03 ,  4K022AA04 ,  4K022AA05 ,  4K022AA13 ,  4K022AA32 ,  4K022AA41 ,  4K022BA01 ,  4K022BA06 ,  4K022BA08 ,  4K022BA14 ,  4K022BA18 ,  4K022BA35 ,  4K022CA04 ,  4K022CA06 ,  4K022CA08 ,  4K022CA26 ,  4K022DA01 ,  4M104BB04 ,  4M104BB05 ,  4M104BB06 ,  4M104BB09 ,  4M104BB13 ,  4M104DD53 ,  4M104EE02 ,  4M104EE18 ,  4M104FF06

引用特許：

審査官引用 (2件)

• ガラス基板の化学メッキ方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-097358   出願人：キヤノン株式会社
• 配線板の製造法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-061801   出願人：日立化成工業株式会社