特許
J-GLOBAL ID：200903081252499801
基板の裏面研削装置および裏面研削方法
発明者：
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出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-202465
公開番号（公開出願番号）：特開2009-038267
出願日： 2007年08月03日
公開日（公表日）： 2009年02月19日
要約：
【課題】半導体基板の裏面エッジ部の面取り加工と、裏面の平面研削加工をフットプリントを増加させることなく1台の装置で可能にする裏面研削装置を提供する。【解決手段】回転軸が同一円周上に在る3基の基板ホルダーテーブル30a,30b,30cを等間隔に搭載したインデックス型回転テーブル2のテーブル30bの上方に研削砥石90aを軸承するスピンドルを昇降可能に設けて粗研削ステージを構成し、回転テーブル2をθ度回転させてテーブル30aに載置された半導体基板の外周縁部のと研削砥石の外周縁部とが一部重なり合うエッジ研削ステージS2e位置にテーブル30aを移動させ、研削砥石により半導体基板の裏面面取り加工を行う。さらに、回転テーブル2を(120-θ)度回転させて半導体基板の中心と前記研削砥石90aの外周面が一致するステージ位置S2bgにテーブル30aを移動させ、その位置で半導体基板の裏面を平面研削加工する。【選択図】図4
請求項（抜粋）：
次の工程を経て半導体基板の裏面研削加工を行う方法。
(1)複数の基板ホルダーテーブルをその回転軸が同一円周上に在り、かつ、等間隔に1台のインデックス型回転テーブルに搭載された内の一つの基板ホルダーテーブル上に半導体基板裏面を上向きに載置する。
(2)前記インデックス型回転テーブルを回転させて前記基板ホルダーテーブル上に載置された半導体基板の外周縁部の垂直面と研削砥石の外周縁部の垂直面とが0.5〜3mm幅重なり合う位置に基板ホルダーテーブル位置を移動させる。
(3)この基板ホルダーテーブルの回転と前記研削砥石を軸承するスピンドルを回転させつつ下降させて前記半導体基板の外周縁部で摺擦させて前記基板ホルダーテーブル上に載置された半導体基板の裏面外周縁部を面取りするエッジ研削加工をする。
(4)エッジ研削加工後、前記研削砥石を軸承するスピンドルを上昇させる。
(5)インデックス型回転テーブルを回転させて前記基板ホルダーテーブル上に載置された半導体基板の中心点を経過する垂直面と前記研削砥石の外周を含む垂直面が一致する位置に基板ホルダーテーブル位置を移動させる。
(6)前記基板ホルダーテーブルの回転と前記研削砥石を軸承するスピンドルを回転させつつ下降させて前記半導体基板の中心点部を通る位置で摺擦させて前記基板ホルダーテーブル上に載置された半導体基板の裏面を平面研削加工する。
(7)平面研削加工後、前記研削砥石を軸承するスピンドルを上昇させる。
IPC (3件)：
H01L 21/304
, B24B 9/00
, B24B 7/22
H01L21/304 631
, H01L21/304 621E
, B24B9/00 601H
, B24B7/22 Z
3C043BB03
, 3C043CC04
, 3C049AA04
, 3C049AB03
, 3C049BB06
, 3C049CA01
, 3C049CB08
