プローブカード及びその製造方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (2件)：遠山勉 , 松倉秀実
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-405927
公開番号（公開出願番号）：特開2005-164480
出願日： 2003年12月04日
公開日（公表日）： 2005年06月23日
要約：

【課題】ウェハが大きい場合でも、その回路パターンの電気的な試験を高精度に行うことができ、且つ、コストダウンできるプローブカード及びその製造方法の提供を課題とする。【解決手段】本発明は、ウェハ11上の回路パターン12を電気的に試験するプローブカード1である。このプローブカード1は、試験用の回路パターン13を有するセラミック基板14と、このセラミック基板14の表面に形成されると共に、セラミック基板14の回路パターン13に接続され、ウェハ11上の回路パターン12に接触可能な導電性を有する金属バンプ15とを有している。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

ウェハ(11)上の回路パターン(12)を電気的に試験するプローブカード(1)において、試験用の回路パターン(13)を有するセラミック基板(14)と、前記セラミック基板(14)の表面に形成されると共に、前記回路パターン(13)に接続され、前記ウェハ(11)上の前記回路パターン(12)に接触可能な導電性を有する金属バンプ(15)と、を備えたプローブカード。

IPC (3件)：

G01R1/073 , G01R31/26 , H01L21/66

FI (3件)：

G01R1/073 E , G01R31/26 J , H01L21/66 B

Fターム (17件)：

2G003AA10 , 2G003AG04 , 2G003AG12 , 2G003AH05 , 2G003AH07 , 2G011AA15 , 2G011AA16 , 2G011AA21 , 2G011AB06 , 2G011AC14 , 2G011AE03 , 4M106AA01 , 4M106AA02 , 4M106BA01 , 4M106CA01 , 4M106DD03 , 4M106DD10

引用特許：

出願人引用 (2件)

プローブカード及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-348227 出願人：株式会社アドバンテスト
半導体実装用基板における突起電極形成方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-170184 出願人：ソニー株式会社

審査官引用 (7件)

特開平2-210846
特開平1-123157
特開平1-300532

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