特許
J-GLOBAL ID：200903081360595850

窒化物半導体素子

発明者：
川口 靖利

川口 靖利 について

, 
石橋 明彦

石橋 明彦 について

, 
横川 俊哉

横川 俊哉 について


出願人/特許権者：
松下電器産業株式会社

松下電器産業株式会社 について


代理人 (3件)： 岩橋 文雄 ,  坂口 智康 ,  内藤 浩樹
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-331901
公開番号（公開出願番号）：特開2004-165550
出願日： 2002年11月15日
公開日（公表日）： 2004年06月10日
要約：
【課題】(0001)結晶面内における格子定数が等方的でない窒化物半導体素子もしくは基板を作製する手段を提供する。【解決手段】素子構造内に結晶欠陥を周期的に配列させることで、格子歪みを部分的に緩和もしくは印加して、(0001)結晶面内の格子定数が等方的でない窒化物半導体基板もしくは素子構造を作製する。【選択図】 図9
請求項（抜粋）：
六方晶系に属する第1の化合物半導体からなる基板と、 前記基板の<0001>軸方向への成長により形成され、半導体素子を形成するための六方晶系に属する第2の化合物半導体からなる素子層とを備え、 前記基板もしくは前記素子層のうち少なくとも一方の、互いに交差する<11-20>軸方向の格子定数のうち少なくとも一つの値が他と異なることを特徴とする半導体素子。
IPC (3件)：
H01S5/323 ,  H01L21/205 ,  H01L33/00
FI (3件)：
H01S5/323 610 ,  H01L21/205 ,  H01L33/00 C
Fターム (45件)：
5F041AA43 ,  5F041AA44 ,  5F041CA04 ,  5F041CA05 ,  5F041CA22 ,  5F041CA23 ,  5F041CA33 ,  5F041CA40 ,  5F041CA46 ,  5F041CA65 ,  5F041CB36 ,  5F045AA04 ,  5F045AA05 ,  5F045AA08 ,  5F045AB14 ,  5F045AB17 ,  5F045AB18 ,  5F045AC00 ,  5F045AC01 ,  5F045AC03 ,  5F045AC08 ,  5F045AC11 ,  5F045AC12 ,  5F045AF13 ,  5F045BB12 ,  5F045CA07 ,  5F045CA10 ,  5F045CA12 ,  5F045DA67 ,  5F073AA13 ,  5F073AA45 ,  5F073AA51 ,  5F073AA74 ,  5F073AA89 ,  5F073BA05 ,  5F073CA07 ,  5F073CB02 ,  5F073CB04 ,  5F073CB05 ,  5F073CB07 ,  5F073CB10 ,  5F073DA05 ,  5F073DA32 ,  5F073EA23 ,  5F073EA28
引用特許：
審査官引用 (2件)

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