特許
J-GLOBAL ID：200903036250603436
窒化物半導体素子
発明者：
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出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-128409
公開番号（公開出願番号）：特開平11-191638
出願日： 1998年05月12日
公開日（公表日）： 1999年07月13日
要約：
【要約】【目的】 窒化物半導体を用いた紫外領域で高出力、高感度の素子を作製するこ主としてLED、LD等の窒化物半導体素子の出力を向上させると共に、Vf、閾値電圧を低下させて素子の信頼性を向上させる。【構成】 n型窒化物半導体層と、p型窒化物半導体層との間に、n型不純物濃度が5×10<SP>17</SP>/cm<SP>3</SP>未満のIn<SB>a</SB>Ga<SB>1-a</SB>N層(0<a≦0.1)を有する活性層では、そのIn<SB>a</SB>Ga<SB>1-a</SB>N層の膜厚を100オングストローム以上、1000オングストローム以下に調整する。一方、n型不純物濃度が5×10<SP>17</SP>/cm<SP>3</SP>以上のIn<SB>b</SB>Ga<SB>1-b</SB>N層を有する活性層では、そのIn<SB>b</SB>Ga<SB>1-b</SB>N層の膜厚を100オングストローム以上に調整する。365〜390nmの紫外発光、受光素子では活性層を量子構造としない方が出力が高い。
請求項（抜粋）：
n型窒化物半導体層と、p型窒化物半導体層との間に、n型不純物濃度が5×1017/cm3未満のInaGa1-aN層を包含する活性層を有する窒化物半導体素子であって、前記InaGa1-aN層のa値が0より大きく0.1以下であり、かつそのInaGa1-aN層の膜厚が100オングストローム以上、1000オングストローム以下であることを特徴とする窒化物半導体素子。
IPC (2件)：
FI (2件)：
引用特許：
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